一种半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器

摘要

本发明提供了一种半浮栅存储器的制造工艺，包括：提供衬底；在衬底的上表面生成具有第一U型槽结构的半浮栅阱区，第一U型槽结构的底部与衬底接触设置；在半浮栅阱区上生成第一栅介质层；在第一栅介质层处向衬底方向开设第二U型槽结构延伸至半浮栅阱区，第二U型槽结构与第一U型槽结构间隔设置；在第一栅介质层和第二U型槽结构表面生成浮栅，浮栅覆盖第一栅介质层，且填充第一U形槽结构和第二U型槽结构，浮栅与半浮栅阱区在第二U型槽处连接构成二极管结构，本发明通过构筑U型槽结构形成半浮栅晶体管的沟道区域和二极管区域，来增大集成密度，提高电荷写入速度，同时可以大面积生产与现有制造工艺兼容。另外，本发明还提供了半浮栅存储器。