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具有在基极区与发射极区之间的偏置结构的双极结晶体管

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本申请题为“具有在基极区与发射极区之间的偏置结构的双极结晶体管”。在所描述的示例中，双极结晶体管(100)包括衬底。发射极区(114)、基极区(112)和集电极区(110)均形成在衬底(120)中。栅极型结构(102)在基极区(112)与发射极区(114)之间形成在衬底上。触点(130)耦合到栅极型结构(102)，并且触点适于耦合到DC电压(VCC)的源。

著录项

公开/公告号CN113161413A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN202110002780.3
发明设计人 A·萨多夫尼科夫;N·拉沃洛格达;G·马图尔;
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申请日2021-01-04
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/735(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人徐东升
地址美国德克萨斯州
入库时间 2023-06-19 11:57:35

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2023-01-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/423 专利申请号:2021100027803 申请日:20210104

实质审查的生效

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