法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-03
授权
发明专利权授予
机译: 通过在生长期间掺杂通过使用p型半极性III族氮化物半导体的p型掺杂剂,III族氮化物器件或III族氮化物半导体的制造方法,半极性III族氮化物半导体以及p型IIIa氮化物半导体的制造方法
机译: III族氮化物半导体生长衬底,III族氮化物半导体外延衬底,III族氮化物半导体器件和III族氮化物半导体自支撑衬底及其制备方法
机译: 用于生长III族氮化物的基质,用于III族氮化物的表皮基质,III族氮化物元素,用于III族氮化物的单基质基质及其制备方法