公开/公告号CN109686809B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中山大学;
申请/专利号CN201811590587.0
申请日2018-12-25
分类号H01L31/107(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构44446 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人杨钊霞;张柳
地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
入库时间 2022-08-23 11:12:44
机译: III族氮化物半导体生长衬底,III族氮化物半导体外延衬底,III族氮化物半导体器件和III族氮化物半导体自支撑衬底及其制备方法
机译: III-V族化合物半导体光电探测器,制造III-V族化合物半导体光电探测器,光电探测器和晶片的方法
机译: III-V族化合物半导体光电探测器,III-V族化合物半导体光电探测器的制造方法,光电探测器和外延晶片