利用MXene-GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种利用MXene‑GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，解决了现有技术中的MSM型光电探测器暗电流大、响应度低的问题，本发明的光电探测器包括生长基底，所述生长基底为图形化蓝宝石衬底结构，所述生长基底表面上由下至上连接有GaN薄膜层、n型GaN薄膜层、GaN‑InGaN组合层和MXene材料层。本发明将MXene材料与图形化蓝宝石衬底相结合降低了暗电流、提高了响应度，可用于水下光学检测和水下通信等领域。