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Photodetectors based on Schottky junction and detecting photolight using the same

机译:基于肖特基结的光电探测器和使用相同的光致光

摘要

A photodetector comprising: substrate 100; a lower electrode 200 stacked on the substrate; an organic semiconductor layer 300 stacked on the lower electrode 200; and an upper electrode 400 stacked on the organic semiconductor layer 300, wherein a Schottky junction is formed in at least one of the junction between the organic semiconductor and the lower electrode or between the organic semiconductor and the upper electrode A photodetector comprising
机译:光电探测器包括:基板100; 堆叠在基板上的下电极200; 堆叠在下电极200上的有机半导体层300; 堆叠在有机半导体层300上的上电极400,其中肖特基结形成在有机半导体和下电极之间的至少一个结中,或者在有机半导体和上电极之间形成光电探测器

著录项

  • 公开/公告号KR102306947B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한국과학기술원;

    申请/专利号KR20200060716

  • 发明设计人 유경식;진영훈;김형석;유승협;

    申请日2020-05-21

  • 分类号H01L51/42;H01L51;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 21:24:10

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