用于填充基板上的间隙特征的方法和相关的半导体结构

摘要

公开了一种用于填充基板表面上的间隙特征的方法。所述方法可包括：提供包含非平坦表面的基板，所述非平坦表面包括一个或多个间隙特征；通过循环沉积工艺在所述一个或多个间隙特征的表面上方沉积金属氧化物膜；使所述金属氧化物与有机配体蒸气接触；和将所述金属氧化物膜的至少一部分转化为多孔材料，从而填充所述一个或多个间隙特征。还公开了包括通过本公开的方法形成的金属‑有机框架材料的半导体结构。