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一种原位生长型锂离子电池电极Cu2Sb纳米材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种原位生长型锂离子电池电极Cu2Sb纳米材料的制备方法,涉及电极材料制备领域。本发明以低共熔型离子液体为溶剂,将锑离子前驱体加入到低共熔型离子液体中,搅拌混合均匀后得到离子液体‑锑盐复合型溶液体系,通过控制温度、锑含量和时间,在铜基体上进行Cu2Sb的生长。然后分别经无水乙醇、蒸馏水冲洗,干燥后即可在铜基体上获得原位生长型Cu2Sb薄膜材料。本发明将三氯化锑作为前驱体,采用一步直接置换法制备Cu2Sb纳米电极材料。该制备方法具有制备方法简单,条件温和,成本低廉,易规模化等优势。

著录项

  • 公开/公告号CN113013404A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN202110203189.4

  • 发明设计人 张启波;薛瑞昌;

    申请日2021-02-23

  • 分类号H01M4/58(20100101);H01M10/0525(20100101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王颖

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区文昌巷68号

  • 入库时间 2023-06-19 11:32:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-17

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01M 4/58 专利申请号:2021102031894 申请公布日:20210622

    发明专利申请公布后的驳回

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