公开/公告号CN113014223A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡市好达电子股份有限公司;
申请/专利号CN202110233571.X
申请日2021-03-03
分类号H03H9/02(20060101);H03H3/08(20060101);
代理机构32228 无锡华源专利商标事务所(普通合伙);
代理人聂启新
地址 214124 江苏省无锡市经济技术开发区高运路115号
入库时间 2023-06-19 11:32:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-02-28
授权
发明专利权授予
机译: 利用层转移技术制造硅/电多层半导体结构的方法,以及使用同一方法的三维多层半导体器件和叠层型图像传感器的制造方法,以及一种多层制造方法设备和堆叠式图像传感器
机译: 具有mos结构的晶体管器件,其中由于制造误差而减小了输出阻抗的变化;一种晶体管器件的制备方法,以及以此方式形成的CMOS电路
机译: 一种用于半导体器件的连接结构的制备方法