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公开/公告号CN112993075A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN202110179575.4
发明设计人 杨树明;吉培瑞;王筱岷;张泽;王亮亮;
申请日2021-02-07
分类号H01L31/108(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/18(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人闵岳峰
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2023-06-19 11:27:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-16
授权
发明专利权授予
机译: -具有可调增益的石墨烯半导体肖特基结光电探测器
机译: 具有可调谐增益的石墨烯-半导体谐振器肖特基结光电探测器
机译:石墨烯与硅量子点耦合用于高性能的基于体硅的肖特基结光电探测器
机译:增强碳量子点耦合石墨烯/硅肖特基结光电探测器的光反应性
机译:基于石墨烯/硅肖特基结二极管的高性能,自动光电探测器
机译:石墨烯/葛肖特基结基的IR光电探测器
机译:石墨烯/硅肖特基结型太阳能电池
机译:工程隧穿层具有增强的抗冲电离用于石墨烯/硅异质结光电探测器的检测改进
机译:工程隧穿层具有增强的抗冲电离,用于石墨烯/硅异质结光电探测器的检测改进
机译:用于红外焦平面阵列的铂硅化物/ p型硅和铱硅化物/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应