公开/公告号CN112899783A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海玺唐半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202110063226.6
申请日2021-01-18
分类号C30B29/40(20060101);C30B29/60(20060101);C30B25/14(20060101);C30B25/16(20060101);
代理机构31251 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王法男
地址 201613 上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
入库时间 2023-06-19 11:16:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-07
授权
发明专利权授予
机译: 氮化镓晶体,氮化镓衬底,氮化镓晶体和半导体器件的表面处理方法以及氮化镓晶体衬底和半导体器件的制造方法
机译: 氮化镓晶体,氮化镓晶体,氮化镓基体,半导体器件的制造方法以及氮化镓晶体的制造装置
机译: III族单晶氮化物制品及其通过HVPE方法制造的方法,所述HVPE法结合了用于提高产率的多晶层