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一种常压HVPE制作珊瑚状多晶氮化镓晶体的方法

摘要

一种常压HVPE制作珊瑚状多晶氮化镓晶体的方法,其特征如下:1)在载盘上放上直径1mm左右的种子颗粒,间隔10mm左右;2)向反应区内通入氮气和氢气、升温到900‑1000℃并保持10分钟,清洁种子表面水分和氧分等杂质;3)通过加热炉分别将反应区和生长区温度分别控制在850‑900℃和950‑1000℃,并在温度达到稳定时通入氨气10‑30分钟、用以氮化种子表面;4)在生长区温度达到1000‑1020℃,以0.05mol‑0.4mol/小时的量通入氯化氢,持续30‑90分钟生成菜花状氮化镓;5)在生长区温度继续升温至1020‑1070℃度时,以约0.05mol‑0.2mol/小时的量持续通入氯化氢气体,生长时间2‑100小时后即可获得呈珊瑚状氮化镓成型体。

著录项

  • 公开/公告号CN112899783A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海玺唐半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202110063226.6

  • 发明设计人 丁成;高明哲;

    申请日2021-01-18

  • 分类号C30B29/40(20060101);C30B29/60(20060101);C30B25/14(20060101);C30B25/16(20060101);

  • 代理机构31251 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王法男

  • 地址 201613 上海市松江区文翔东路58号9幢1楼

  • 入库时间 2023-06-19 11:16:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-07

    授权

    发明专利权授予

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