互为籽晶的HVPE和氨热法氮化镓体单晶生长

摘要

GaN体单晶的HVPE生长方法与氨热法有很强的互补性:HVPE生长速率快、尺寸大,位错密度高大;而氨热法为近热力学平衡生长,所生长晶体质量高,成本低,生长速率低,生长周期长.以氨热生长的GaN晶体为籽晶,HVPE法可实现高质量晶体的快速制备;以HVPE生长的晶体为籽晶,可实现大尺寸、低成本GaN单晶的批量制备.本文报道了HVPE和氨热法互为籽晶的生长进展,研究了籽晶生长界面位错演变,通过优化生长条件,实现了高质量GaN体单晶的制备.