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一种基于横向桥接pn结的自供电纳米紫外探测器

摘要

一种基于横向桥接pn结的自供电纳米紫外探测器,涉及紫外探测技术领域。本发明通过在两个对称的ZnO种子层相对的侧壁上一个生长n型ZnO纳米线,一个生长p型ZnO纳米线形成横向桥接来制备自供电紫外探测器以避免纳米线转移的复杂过程和不需要考虑单根纳米线中如何控制一种导电类型的纳米线在另一种导电类型的纳米线上继续生长的问题;并增大了器件的感光面积,优化了紫外探测器的响应性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112909109A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202110186953.1

  • 发明设计人 高志远;靳晓频;

    申请日2021-02-10

  • 分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/0296(20060101);H01L31/103(20060101);H01L31/18(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张立改

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 11:14:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-29

    授权

    发明专利权授予

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