公开/公告号CN113113499A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 金华紫芯科技有限公司;
申请/专利号CN202110329566.9
申请日2021-03-29
分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/109(20060101);H01L31/18(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构
代理人
地址 321042 浙江省金华市金东区江东镇金武北街180号配套附属用房1楼
入库时间 2023-06-19 11:49:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0224 专利申请号:2021103295669 申请日:20210329
实质审查的生效
机译: pn结型磷化硼基半导体发光器件及其制造方法
机译: pn结型磷化硼基半导体发光器件,其制造方法和光源显示装置
机译: P型导电SB掺杂的SNO 2 Sub>薄膜,氧化锡均质PN结包含相同的薄膜及其制备方法