声明
摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 紫外探测器的研究背景
1.3 紫外探测器的研究进展
1.3.1 紫外探测器材料的种类
1.3.2 紫外探测器结构的分类
1.3.3 GaN基紫外探测器的研究进展
1.3.4 β-Ga2O3基紫外探测器的研究进展
1.4 本论文的选题依据和主要内容
1.4.1 本论文的选题依据
1.4.2 本论文的主要内容
参考文献
第二章 实验方法及表征技术
2.1 引言
2.2 薄膜的制备技术
2.2.1 脉冲激光沉积法
2.2.2 磁控溅射法
2.3 薄膜的表征方法
2.3.1 X射线衍射(XRD)
2.3.2 紫外可见吸收光谱(UV-vis)
2.3.3 原子力显微镜(AFM)
2.3.4 扫描电子电镜(SEN)
2.3.5 X射线能谱仪(XPS)
2.4 本章小结
参考文献
第三章 GaN/Ga2O3pn自供电紫外探测器
3.1 引言
3.2.1 前期准备
3.2.2 薄膜生长
3.3 GaN/Ga2O3异质结的材料表征
3.3.1 表面形貌
3.3.2 晶体结构
3.3.3 光谱分析
3.4 GaN/Ga2O3异质结的性能测试
3.4.1 I-V曲线
3.4.2 I-t曲线
3.5 GaN/Ga2O3异质结的工作原理
3.6 本章小结
参考文献
第四章 GaN/Sn:Ga2O3pn结自供电紫外探测器
4.1 引言
4.2.1 制备流程
4.2.2 薄膜生长
4.3.2 晶体结构
4.4 GaN/Sn:Ga2O3异质结的性能测试
4.4.1 I-V曲线
4.4.2 I-t曲线
4.5 GaN/Sn:Ga2O3异质结的工作原理
4.6 本章总结
参考文献
5.1 结论
5.2 展望
硕士期间成果
致谢