一种提高产品良率的LED芯片制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种提高产品良率的LED芯片制备方法，包括步骤：制作GaAs外延片；在所述GaAs外延片上制作光刻胶掩膜图形，腐蚀GaP形成裸露区域；在所述裸露区域上沉积一层SiO2；SiO2腐蚀；ZnO薄膜沉积；Zn扩散；ZnO薄膜去除；退火；去除SiO2；ITO薄膜蒸镀，P面金属电极制作以及N面金属电极制作。本发明LED芯片的制备过程中，在晶片表面经过Zn扩散，RTP高温处理后，外延片表面呈现四棱锥型粗糙面，增加外部出光效率，提高产品亮度，提高产品良率。该工艺方法简单操作，成本低，适用于正极性GaAs基LED芯片的制作。