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公开/公告号CN112825329A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-21
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201911150149.7
发明设计人 王冲;刘凯;马晓华;郑雪峰;李昂;赵垚澎;何云龙;郝跃;
申请日2019-11-21
分类号H01L29/10(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/778(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李园园
地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 11:03:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-22
授权
发明专利权授予
机译: 功率半导体器件的制造方法绝缘栅双极晶体管,涉及在半导体结构区域中从一侧到另一侧形成部分填充有绝缘材料的沟槽
机译: 一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
机译: 制造复合杂质结构,半导体器件,MOSFET晶体管和绝缘栅双极晶体管的方法
机译:具有再生欧姆结构的Al_2O_3 / Si_3N_4绝缘栅掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管:具有高跨导的低栅漏电流
机译:绝缘体/(Al)GaN界面处电子态的表征,用于改进GaN基晶体管的绝缘栅和表面钝化结构
机译:高漏极偏压下AlGaN / GaN异质结构绝缘栅场效应晶体管的电流/电压特性崩溃
机译:具有超薄Al 2 sub> O 3 sub> / Si 3 sub>的AlGaN / GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管在高达200°C的高温下的器件性能sub> N 4 sub>双层
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:介电膜对GaN和GaN / AlGaN异质结构的表面钝化及其在绝缘栅异质晶体管中的应用
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。