用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模

摘要

本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

说明书

技术领域

本公开涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模，且更特定来说，涉及能够使用13.5纳米的极紫外(extreme ultraviolet；EUV)光作为曝光光来实施14纳米或小于14纳米(特定来说10纳米或7纳米或小于7纳米)的精细图案的用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模。

背景技术

最近，用于制造半导体的光刻技术从ArF、ArFi以及多重(multiple；MP)光刻技术演进为EUV光刻技术。EUV光刻技术是因制造10纳米或小于10纳米的半导体装置而引起注目的技术，这是由于EUV光刻能够通过使用13.5纳米的曝光波长来实现解决方案和工艺简化。

另一方面，EUV光刻技术可不使用现有折射式光学系统，例如使用KrF或ArF光的光刻，这是由于EUV光由所有材料很好地吸收，且材料在所述波长下的折射率接近1。出于这个原因，在EUV光刻中，使用利用反射光学系统的光掩模。

空白掩模是光掩模的原材料，且构造成包含基板上的两个薄膜以形成反射结构：反射EUV光的反射膜和吸收EUV光的吸收膜。此外，空白掩模可包含保护反射膜的覆盖膜、用于电子卡夹(e-chucking)的背面导电膜以及类似物。更具体来说，用于EUV的空白掩模构造成包含由具有低热膨胀系数的SiO

当使用如上文所描述的EUV空白掩模形成图案时，发生以下问题。

首先，由于要实施的图案的大小小型化，所以例如所实施的图案轮廓的失真(尤其是图案的基脚)的问题直接影响分辨率。特定来说，在用于校正光学邻近效应的亚分辨率特征大小(sub-resolution feature size；SFRS)CD图案以及要实施的主图案中发生的基脚问题对分辨率具有致命影响。

具体来说，形成EUV空白掩模的吸收膜图案的钽(Ta)类材料通常以两层结构形成，其中下部层不含有氧且上部层形成为含有氧。此外，为了控制遮蔽效应，含有氧的上部层具有15纳米或小于15纳米的厚度，且最近形成为具有10纳米或小于10纳米的厚度。由于含有氧的上部层具有用氟基蚀刻气体蚀刻的性质，所以总之，吸收膜的图案轮廓和例如基脚的现象由吸收膜的下部层决定。此外，吸收膜的下部层比吸收膜的上部层相对更厚，且蚀刻自由基成分在蚀刻期间在深度方向上相对低于表面，且因此存在发生基脚现象的概率增加的问题。

第二，在EUV空白掩模的平坦度中也发生以下问题。

一般来说，EUV空白掩模的平坦度可分类成两种类型，也就是吸收膜的平坦度和包含反射膜的覆盖膜的平坦度。

关于吸收膜的平坦度，吸收膜是在成膜之后最终形成图案的部分，且在形成图案的同时释放在成膜期间产生的残余应力，因此在释放期间发生配准问题。最近，归因于精细图案的大小，每一位置的配准问题已作为更重要的问题出现。

然而，在当前钽(Ta)类吸收膜上形成图案的情况下，在形成10纳米或小于10纳米的图案时不存在配准问题，但在形成7纳米或小于7纳米的图案时发生由残余应力引起的配准问题。此外，配准问题对其中曝光光以6°的入射角倾斜地入射的EUV光刻具有更致命影响。这是因为在通过反射光的EUV曝光工艺中，不仅在每一掩模表面的整个上的残余应力是不同的，在微区域中的残余应力也是不同的，且因此图案位置在任何部分中变化且由以6°的角度入射的曝光光引起的遮蔽效应增加。

包含反射膜的覆盖膜的平坦度的问题涉及薄膜的应力。由于EUV曝光光以6°倾斜且通过反射路径转印到晶片PR，所以当包含反射膜的覆盖膜的平坦度较高时，在理想反射路径与实际反射路径之间出现差异，且因此在转印的图案中出现图案位置误差。覆盖膜的平坦度受反射膜、LTEM基板以及覆盖膜之下的薄膜(例如形成于LTEM基板的后表面上的背面导电膜)中的至少一个影响。然而，通过形成40对Mo/Si来形成的反射膜通常具有凸型横截面形状，且由铬(Cr)类材料制成的背面导电膜通常具有凹型横截面形状。因此，反射膜的表面的凸型最终加深，且因此平坦度进一步增加。因此，存在实际反射光的路径与理想反射光的路径的差异更大的问题，且因此图案位置误差的问题变得更糟。

第三，形成覆盖膜的钌(Ru)类材料导致以下问题。

钌(Ru)类材料在蚀刻期间起到降低氧化程度和保护下部反射膜的作用。然而，钌(Ru)类材料通过例如臭氧水和DI水的清洁溶液氧化，且覆盖膜的钌(Ru)和覆盖膜之下的反射膜的硅(Si)在重复暴露于晶片期间因高能量而氧化。因此，发生对覆盖膜的损坏，从而导致对曝光光的反射率降低，缺陷发生率增加，且不利地影响覆盖膜上的薄膜(吸收膜、相移膜或类似物)。

发明内容

本公开将提供一种用于极紫外光刻的空白掩模，所述空白掩模能够防止EUV光掩模图案的基脚发生，改善EUV空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

根据本公开的一方面，一种用于极紫外光刻的空白掩模包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。

反射膜可以是其中Mo/Si结构、Mo/B

反射膜中的B

可在200℃到500℃的温度下对反射膜进行热处理。

反射膜或覆盖膜可在成膜之后经受用于通过电子束处理抑制氧化物膜的形成的电中和处理。

空白掩模可进一步包含应力控制层，所述应力控制层设置在透明基板与反射膜之间且具有凹型。

应力控制层可由含有以下中的至少一种的材料制成：Cr、Ta、B、Mo、V、Co、Ag、Sb、Ti、I、Pb、Ga、Bi、Co、Sn、Te、Ni、Zr、Si、Nb、Pt、Pd、Zn、Al、Mn、Cd、Mg、Li、Se、Cu、Hf以及W，或进一步含有氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氢(H)中的至少一种。

应力控制层可具有10纳米到100纳米的厚度。

覆盖膜可由含有Ru或Nb中的至少一种的材料制成，或进一步含有氧(O)、氮(N)以及碳(C)中的至少一种轻元素。

吸收膜可由具有两层结构的钽(Ta)化合物制成，在所述两层结构中，上部层含有氧(O)且下部层不含有氧(O)。

下部层可由含有以下中的至少一种的材料制成：钽(Ta)、氮化钽(TaN)、碳氮化钽(TaCN)、碳化钽(TaC)、硼化钽(TaB)、硼氮化钽(TaBN)以及硼碳化钽(TaBC)，或进一步含有氢(H)。

下部层可以组成比在厚度方向上变化的连续膜的形式形成。

吸收膜可由具有三层结构的钽(Ta)化合物制成。

吸收膜可形成为使得中间层中的氮(N)含量比下部层的氮(N)含量高1原子％到20原子％。

吸收膜的中间层可具有3纳米到40纳米的厚度。

吸收膜可具有两个或大于两个层的结构且可由钽(Ta)化合物制成，且吸收膜的上部层之下的层可具有Ta：N＝95原子％：5原子％到50原子％：50原子％的组成比。

吸收膜可由含有硼(B)的钽(Ta)化合物制成，且可具有40原子％到90原子％的Ta、5原子％到20原子％的B以及5原子％到50原子％的N的组成比。

吸收膜可具有两个或大于两个层的结构且可由钽(Ta)化合物制成，且可上部层形成为含有50原子％到90原子％的氧(O)。

空白掩模可进一步包含形成于吸收膜上的硬掩模膜。

硬掩模膜可由含有以下中的至少一种的材料制成：Cr、Ta、Mo、V、Co、Ag、Sb、I、Pb、Ga、Bi、Co、Sn、Te、Ni、Zr、Si、Nb、Pt、Pd、Zn、Al、Mn、Cd、Mg、Li、Se、Cu、Hf以及W，或进一步含有选自氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氢(H)的至少一种。

空白掩模可进一步包含设置在透明基板之下的背面导电膜。

背面导电膜可具有100欧/Υ(Ω/Υ)或小于100欧/□的薄层电阻。

背面导电膜可由含有以下中的至少一种的材料制成：Cr、Ta、Mo、V、Co、Ag、Sb、I、Pb、Ga、Bi、Co、Sn、Te、Ni、Zr、Si、Nb、Pt、Pd、Zn、Al、Mn、Cd、Mg、Li、Se、Cu、Hf以及W，或进一步含有氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氢(H)中的至少一种。

背面导电膜可由铬(Cr)、铬(Cr)化合物或其中金属材料含于铬(Cr)中的化合物制成。背面导电膜可具有三层结构，其中第一层与透明基板的后表面接触，第二层形成于第一层上，且第三层形成于第二层上。第一层和第三层可含有氧(O)，且第二层可能不含有氧(O)。

第一层和第三层可具有其中铬(Cr)是20原子％到70原子％且C、O以及N总共是30原子％到80原子％的组成比，且第二层可具有Cr：N＝70原子％：30原子％到20原子％：80原子％的组成比。

根据本公开的另一方面，提供一种用于极紫外光刻的光掩模，所述光掩模使用具有上述配置的用于极紫外光刻的空白掩模制造。

根据本公开，改善EUV空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。此外，防止在通过这一空白掩模制造的EUV光掩模的图案中发生基脚。

附图说明

通过结合附图进行的以下详细描述，本公开的某些实施例的上述和其它方面、特征以及优点将更加显而易见。

图1是根据本公开的用于极紫外光刻的光掩模的横截面视图。

图2是示出图1的背面导电膜的具体配置的图。

附图标号说明

100：空白掩模；

102：透明基板；

104：反射膜；

106：覆盖膜；

108：吸收膜；

110：导电膜；

110-1：第一层；

110-2：第二层；

110-3：第三层。

具体实施方式

图1是示出根据本公开的用于极紫外光刻的空白掩模的横截面视图。

参考图1，根据本公开的用于极紫外光刻的空白掩模100包含透明基板102，以及依序堆叠在透明基板102上的反射膜104、覆盖膜106以及吸收膜108。此外，空白掩模100包含设置在透明基板102的后表面上的导电膜110。

透明基板102是用于使用13.5纳米的EUV曝光光的反射式空白掩模的玻璃基板，且优选地使用具有在0±1.0×10

透明基板102需要具有高平坦度以便增加在曝光期间反射光的准确度。平坦度表示为总指示读数(total indicated reading；TIR)值，且透明基板102的TIR在132平方毫米的面积或142平方毫米的面积中是100纳米或小于100纳米，优选地是50纳米或小于50纳米，且更优选地是30纳米或小于30纳米。

设置在透明基板102上的反射膜104具有反射EUV曝光光的功能，且通过交替地堆叠40层到60层的钼(Mo)和硅(Si)形成。反射膜104需要相对于13.5纳米波长的高反射率以便提高图像对比度。反射膜104的反射强度取决于曝光光的入射角和反射膜104的结构(每一层的厚度)而改变。举例来说，当应用0.33的普通NA方法且曝光光的入射角是4°到6°时，优选的是钼(Mo)层和硅(Si)层分别具有2.8纳米和4.2纳米的厚度，且当应用具有8°到14°的入射角的高NA方法时，优选的是钼(Mo)层和硅(Si)层分别具有2纳米到4纳米和3纳米到5纳米的厚度。

为了在形成钼(Mo)层和硅(Si)层时减少相应层之间的扩散且为了减少在制造工艺期间由热处理工艺引起的反射率的降低，在钼(Mo)层形成之后，反射膜104可由选自B

可选择性地对反射膜104进行热处理。热处理可通过选自在200℃到500℃范围内的炉、快速热退火(rapid thermal annealing；RTA)以及热板的至少一种方法进行。热处理优选地在250℃到300℃的温度范围内进行以减小反射膜104的应力。另一方面，当反射膜104形成时，可形成B4C或C以抑制因在热处理期间引起的扩散而降低反射率的影响。

由于当钼(Mo)与大气接触时反射膜104容易氧化且因此反射率降低，所以反射膜104的最上部层优选地以硅(Si)层形成作为不会氧化的保护膜。另一方面，即使最上部层以硅(Si)层形成，也在制造掩模之后在重复暴露于晶片期间通过高能量在硅(Si)层上形成氧化物膜，这影响上部薄膜或下部薄膜。因此，优选地在反射膜104形成之后进行电中和处理，例如电子表面处理。以这种方式，可控制表面电子以防止薄膜的变化，例如氧化。

反射膜104具有相对于13.5纳米的EUV曝光波长的65％或大于65％的反射率，和相对于193纳米或257纳米波长的65％或小于65％的反射率。当反射膜104的表面平坦度由TIR限定时，表面平坦度具有1,000纳米或小于1,000纳米、优选地500纳米或小于500纳米，且更优选地300纳米或小于300纳米的绝对值。当反射膜104的表面平坦度较差时，在反射EUV曝光光的位置中发生误差，且随着位置误差变高，临界尺寸的位置误差出现。另一方面，反射膜104具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra、优选地0.3纳米Ra或小于0.3纳米Ra，且更优选地0.1纳米Ra或小于0.1纳米Ra的表面粗糙度，以便抑制EUV曝光光的漫反射。

同时，尽管图1中未示出，但可另外在透明基板102与反射膜104之间形成应力控制层。应力控制层可由具有凹型的材料制成。材料的实例可包含选自以下的至少一种材料：Cr、Ta、B、Mo、V、Co、Ag、Sb、Ti、I、Pb、Ga、Bi、Co、Sn、Te、Ni、Zr、Si、Nb、Pt、Pd、Zn、Al、Mn、Cd、Mg、Li、Se、Cu、Hf以及W，或除此之外包含选自氧、氮、碳、硼以及氢的至少一种材料，且可优选地包含选自Cr、Mo、Ti以及Si和其化合物的材料。

通过以以下方式设定应力控制层的应力，可控制残余应力以降低平坦度。举例来说，当反射膜104具有呈凸型的800纳米厚度、透明基板102具有呈凸型的30纳米厚度且背面导电膜110具有呈凹型的200纳米厚度时，应力控制层可设计成具有呈凹型的100纳米到600纳米范围。此外，当反射膜104具有呈凸型的800纳米厚度、透明基板102具有呈凸型的30纳米厚度且背面导电膜110具有呈凹型的100纳米厚度时，应力控制层可设计成具有呈凹型的200纳米到700纳米范围。

应力控制层的厚度优选地是10纳米到100纳米。当应力控制层由含铬材料制成时，应力控制层优选地具有Cr：N＝100：0到35：65的范围。

可对应力控制层进行热处理。可通过选自在10℃到500℃范围内的炉、快速热退火(RTA)以及热板的至少一种方法对应力控制层进行热处理。热处理优选地在250℃到400℃范围内进行。

覆盖膜106形成于反射膜104上且用以在用于图案形成的干式蚀刻或清洁工艺期间保护反射膜104。为这个目的，覆盖膜106可由仅钌(Ru)或铌(Nb)、钌(Ru)化合物或铌(铌)化合物或含有钌(Ru)和铌(Nb)两者的化合物制成。具体来说，覆盖膜106可由其中氧(O)、氮(N)以及碳(C)当中的至少一种轻元素材料含于钌(Ru)和/或铌(Nb)中的材料制成。在这种情况下，优选的是作为主要元素的钌()或铌(Nb)形成为具有60原子％或大于60原子％的含量。

覆盖膜106具有1纳米到10纳米的厚度，且优选地具有1纳米到5纳米的厚度。当覆盖膜106的厚度是1纳米或小于1纳米时，难以在蚀刻和清洁工艺中保护反射膜104，且当厚度是10纳米或大于10纳米时，13.5纳米曝光光的反射率衰减，因此发生降低图像对比度的问题。

覆盖膜106在清洁工艺期间对清洁溶液(尤其对臭氧水和热DI水)呈现相对较弱特性。因此，为了防止氧化物膜形成于覆盖膜106上，可添加通过电中和处理(例如电子束处理)抑制氧化物膜形成于覆盖膜106的表面上的工艺。

吸收膜108可通过各种方法形成，例如溅镀、化学气相沉积(chemical vapordeposition；CVD)、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)以及离子束沉积(ionbeam deposition；IBD)。特定来说，吸收膜108可通过溅镀和离子束沉积(IBD)中的至少一种形成。

吸收膜含有例如选自以下的至少一种：Cr、Ta、B、Mo、V、Co、Ag、Sb、I、Pb、Ga、Bi、Co、Sn、Te、Ni、Zr、Si、Nb、Pt、Pd、Zn、Al、Mn、Cd、Mg、Li、Se、Cu、Hf以及W，或优选地进一步含有氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氢(H)中的至少一种轻元素材料。特定来说，吸收膜108优选地由钽(Ta)和其对曝光光具有高消光系数的化合物制成。

吸收膜108可以单层结构、多层结构、单层膜结构或连续膜结构中的一种或多种形成。吸收膜108优选地以两个或大于两个层、且更优选地三个或大于三个层形成，且上部层形成为含有氧(O)。具体来说，当吸收膜以两个层形成时，上部层含有其中至少氧(O)含于钽(Ta)中的材料，且下部层形成为不含有氧(O)。举例来说，下部层由选自Ta、TaN、TaCN、TaC、TaB、TaBN以及TaBC的不含有氧(O)的至少一种材料，或进一步含有其中氢(H)进一步含于所述至少一种材料中的材料的材料制成。

另一方面，下部层优选地以组成比在厚度方向上变化的连续膜的形式形成。具体来说，下部层可以其中氮(N)含量在深度方向上从表面逐渐降低的连续膜形成。以这种方式，蚀刻速率在深度方向上增大，且因此可解决例如基脚的现象。另一方面，由于可应用过蚀刻方法作为用于解决基脚的另一方法，但可能对覆盖膜106造成损坏，所以更优选的是在深度方向上逐渐增大蚀刻速率。

同时，当吸收膜108以三个层形成时，吸收膜的每一层可以除如上文所描述的连续膜形式以外的单层膜的形式形成。举例来说，中间层可形成为具有高于下部层的氮(N)含量的氮(N)含量。具体来说，中间层中的氮含量可设计成比下部层的氮含量大1原子％或大于1原子％，且优选地大3原子％或大于3原子％。此时，中间层中的氮含量与下部层中的氮含量之间的差优选地是20原子％或小于20原子％。当氮包含在钽(Ta)中时，氮(N)含量越高，氯(Cl)基气体的蚀刻速率明显越低，且因此，当氮(N)含量的差是20原子％或大于20原子％时，发生因蚀刻速率的较大差而导致图案轮廓劣化的问题。此外，当差是1原子％或小于1原子％时，不存在蚀刻速率的差，因此未有效改善基脚。

另一方面，在抗蚀剂CD与通过吸收膜蚀刻工艺形成的吸收膜图案CD之间可能发生偏置。随着蚀刻速率增大，存在即使通过干式蚀刻来蚀刻吸收膜108的图案，CD也因侧面蚀刻而变化的问题。因此，为了减小因侧面蚀刻引起的CD偏置，优选的是以低蚀刻速率蚀刻中间层。为这个目的，可使用将中间层中的氮(N)含量设计成相对高于下部层的氮(N)含量或将中间层中的氮(N)含量设计成较低但将中间层的厚度设计成较厚或类似物的方法。

另一方面，侧面蚀刻不仅受蚀刻速率影响，且还受中间层的厚度影响。当中间层的厚度是3纳米或小于3纳米时，难以通过侧面蚀刻校正CD，且当中间层的厚度是40纳米或大于40纳米时，归因于蚀刻速率较快的下部层的厚度的限制，难以改善基脚。因此，优选的是中间层的厚度是3纳米到40纳米或小于40纳米。

当吸收膜108以两个层或三个层形成时，下部层优选地形成为具有Ta：N＝95原子％：5原子％到50原子％：50原子％的组成比。另一方面，当吸收膜108形成为含有硼(B)时，吸收膜108优选地形成为具有其中Ta是40原子％到90原子％、B是5原子％到20原子％且N是5原子％到50原子％的组成比。

另一方面，吸收膜108的上部层形成为含有氧(O)。当上部层中的氧(O)含量低时，氟(F)基气体的蚀刻速率降低，且因此整个吸收膜108的蚀刻时间明显增加。因此，优选的是含于TaON层和TaBON层(其为上部层)中的氧含量是50原子％到90原子％。

此外，吸收膜108的上部层的厚度形成为具有1纳米到10纳米。

尽管未示出，但硬掩模膜可形成于吸收膜108上。硬掩模膜由对其下的吸收膜108(尤其是对吸收膜108的上部层)具有高蚀刻选择性的材料制成。具体来说，硬掩模膜可由铬(Cr)和铬(Cr)化合物制成，且可由含有铬(Cr)的合成材料制成。具体来说，硬掩模膜可由含有选自以下的至少一种的材料制成：Cr、Ta、Mo、V、Co、Ag、Sb、I、Pb、Ga、Bi、Co、Sn、Te、Ni、Zr、Si、Nb、Pt、Pd、Zn、Al、Mn、Cd、Mg、Li、Se、Cu、Hf以及W，或进一步含有选自氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氢(H)的至少一种。

硬掩模膜形成为具有2纳米到15纳米的厚度。当蚀刻吸收膜108的下部层时，蚀刻和去除硬掩模膜。

设置在透明基板102之下的背面导电膜110是用于电子卡夹的薄膜且影响其上的反射膜104的平坦度。因此，优选的是背面导电膜110以凸型形成。背面导电膜110可以单层膜或多层膜形成。优选的是背面导电膜110具有100欧/□或小于100欧/Υ的薄层电阻。

为这个目的，背面导电膜可由含有以下中的至少一种的材料制成：Cr、Ta、Mo、V、Co、Ag、Sb、I、Pb、Ga、Bi、Co、Sn、Te、Ni、Zr、Si、Nb、Pt、Pd、Zn、Al、Mn、Cd、Mg、Li、Se、Cu、Hf、W，或进一步含有氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氢(H)中的至少一种。具体来说，背面导电膜可由铬(Cr)、铬(Cr)化合物或其中金属材料含于铬(Cr)中的化合物制成。

图2是示出背面导电膜110的具体配置的图。

背面导电膜110可以三个层形成：与基板102的后表面接触的第一层110-1、形成于第一层110-1上的第二层110-2，以及形成于第二层110-2上的第三层110-3。为了使背面导电膜110形成为具有凸型，与基板102的后表面接触的第一层110-1形成为至少含有氧(O)。第二层110-2可含有氧(O)且可能不含有氧(O)。当第二层110-2形成为不含有氧(O)时，薄层电阻可能降低。第三层110-3优选地含有氧(O)以便增加与静电卡盘的摩擦力。具体来说，当背面导电膜110以三个层形成时，含有氧(O)的第一层110-1和第三层110-3优选地形成为具有其中铬(Cr)是20原子％到70原子％且C、O以及N总共是30原子％到80原子％的组成比，且第二层优选地形成为具有Cr：N＝70原子％：30原子％到20原子％：80原子％的组成比。

设置在吸收膜108或硬掩模膜上的抗蚀剂膜(未示出)由用于电子束的化学放大抗蚀剂构成，且具有150纳米或小于150纳米、优选地100纳米或小于100纳米，且更优选地60纳米或小于60纳米的厚度。此外，抗蚀剂膜可由用于多电子束的抗蚀剂构成，且用于多电子束的抗蚀剂膜具有50微库仑/平方厘米或大于50微库仑/平方厘米且优选地具有70微库仑/平方厘米或大于70微库仑/平方厘米的曝光剂量。

尽管未示出，但抗电荷层可选择性地形成于抗蚀剂膜上，以便减少电子束曝光期间电子的充电。抗电荷层可由例如自掺杂水溶性导电聚合物制成。抗电荷层具有在超纯水中溶解的性质，且具有5纳米到60纳米且优选地具有5纳米到30纳米的厚度。通过利用抗电荷层防止电子束曝光期间电子的充电现象，可防止抗蚀剂膜热变形，且因此可实施高分辨率。

上文中，本公开已通过本公开的实施例具体加以描述，但这仅用于示出和解释本公开的目的，且并不用于限制在权利要求中描述的本公开的含义或范围。因此，本公开的技术领域中的普通技术人员可理解各种修改且等效的其它实施例根据实施例是可能的。因此，本公开的实际技术范围应由所附权利要求的精神界定。