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一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺

摘要

本发明提供了一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺,用于在硅结构内加工形成硅槽和硅通孔,包括在硅结构晶圆一侧制作光刻胶和第一铝或钛金属膜,加工后分别作为硅通孔和硅槽的刻蚀工艺图形掩模,同时在硅结构晶圆另一侧淀积第二铝或钛金属膜作为刻蚀阻挡层。本发明中,采用的铝或钛金属膜与硅具有良好的黏附性,且在硅刻蚀过程中具有很高的刻蚀选择比;在硅硅结构晶圆单侧制作刻蚀图形掩模,并在另一侧制备刻蚀阻挡层,从单侧进行硅刻蚀能够避免通孔刻蚀穿通后晶圆背面气体漏率增大,造成由于刻蚀均匀性需继续刻蚀时,刻蚀速率异常和图形陡直度变差问题;采用金属膜作为刻蚀阻挡层,能够避免通孔底部电荷积累造成的刻蚀结构底部损伤问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112758888A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航天控制仪器研究所;

    申请/专利号CN202110193837.2

  • 申请日2021-02-20

  • 分类号B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11009 中国航天科技专利中心;

  • 代理人陈鹏

  • 地址 100854 北京市海淀区北京142信箱403分箱

  • 入库时间 2023-06-19 10:54:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-27

    授权

    发明专利权授予

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