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公开/公告号CN112758888A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航天控制仪器研究所;
申请/专利号CN202110193837.2
发明设计人 张乐民;刘福民;张树伟;崔尉;梁德春;杨静;刘宇;
申请日2021-02-20
分类号B81C1/00(20060101);
代理机构11009 中国航天科技专利中心;
代理人陈鹏
地址 100854 北京市海淀区北京142信箱403分箱
入库时间 2023-06-19 10:54:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-27
授权
发明专利权授予
机译: 硅通孔加工工艺
机译: 一种由硅制成的镀通孔的方法,该硅设有用于延迟载荷的轴环,此后会产生零件
机译: MEMS MEMS一种基于抗冲击硅的MEMS麦克风一个系统及其包装
机译:带有硅通孔的硅中介层中的差分高速串行链路的信号完整性设计和分析
机译:一种新型的中介层的制造和电学特性,该中介层具有用于2.5D / 3D应用的具有超低电阻率的直通硅通孔(TSV)的聚合物衬里和硅柱
机译:使用多孔硅的悬浮RF-MEMS应用的表面微加工工艺
机译:通过使用基于铜的通过硅通孔通过硅通孔使用铜热压缩粘合,3D晶片级包装MEMS的封装
机译:EFAB:一种新颖的,高纵横比的真正三维微加工工艺,用于快速,低成本的MEMS台式微加工。
机译:基于硅通孔的电容式MEMS传感器3D封装技术研究
机译:MEMS惯性传感器的两种替代玻璃硅微细加工工艺的比较
机译:1,1-二甲基-1-硅杂环戊-3-烯和1,1-二苯基-1-硅杂环戊-3-烯的共聚合。通过H1,C13和si29 NmR光谱表征共聚物微结构