应用于等离激元直写光刻的光场调控芯片及制备方法

摘要

本发明公开了一种应用于等离激元直写光刻的光场调控芯片，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、岛状结构、核心图形层和超材料结构；其中，核心图形层上设置有纳米天线阵列和平面透镜阵列，衬底上侧四个拐角处均设置有干涉式空间位相成像标记模块。纳米天线阵列包括至少一个纳米蝴蝶结天线，平面透镜阵列包括至少一个平面衍射透镜。纳米蝴蝶结天线阵列用于实现高精度近场光刻；平面衍射透镜阵列用于实现高速远场光刻。本发明可用于直写光刻系统中，根据工作距离选取高精度模式和高速模式；同时，通过阵列化光场调控芯片中的纳米结构，可实现并行的高效率直写光刻。