首页> 中文学位 >基于MOS结构中电子积累效应的表面等离激元光场局域和调控
【6h】

基于MOS结构中电子积累效应的表面等离激元光场局域和调控

代理获取

目录

声明

1 绪论

1.1 引言

1.2 国内外研究现状

1.2.1 SPP(表面等离子激元)介绍

1.2.2 非金属材料的SPP

1.2.3 周期性结构的SPP

1.2.4 杂化SPP模式波导

1.2.5 半导体SPP的调控

1.3 本论文的主要研究内容

2 MOS结构的理论基础

2.1 引言

2.2 MOS结构的工作原理

2.3 积累工作模式下MOS结构中的载流子浓度分布

2.4 Drude模型和半导体的复介电常数

2.5 不同结构参数对载流子浓度及介电常数分布的影响

2.5.1 基本结构

2.5.2 掺杂浓度的影响

2.5.3 外加电压下的影响

2.5.4 氧化物厚度的影响

2.6 小结

3 MOS一维平板结构的模式分析

3.1 引言

3.2 一维MOS平板结构中的电磁模式

3.3 MOS结构中SPP模式的有效折射率

3.4 MOS结构中SPP模式的色散曲线

3.5 MOS结构中SPP模式的传播长度

3.6 MOS结构中SPP模式的模场限制

3.7 小结

4 MOS结构中SPP模式的调控

4.1 引言

4.2 氧化物厚度对SPP模式的调控作用

4.3 掺杂浓度对SPP模式的调控作用

4.4 外加电压对SPP模式的调控作用

4.5 小结

5 二维MOS结构SPP波导的研究

5.1 引言

5.2 半导体脊形结构SPP模式分析

5.2.1 半导体脊形结构SPP结构

5.2.2 半导体脊形MOS中模场分布

5.2.3 半导体脊形MOS结构中的多侧模现象和脊宽w的影响

5.2.4 半导体脊形MOS结构中SPP模式的模式特性

5.3 金属条形MOS结构

5.4 小结

6 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献

附录 攻读学位期间发表的论文

展开▼

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号