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MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法

摘要

本发明提供了一种MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法,在衬底上形成氧化层及结构层,在结构层的表面以及结构层内的释放孔的内壁上形成金属氧化物层,然后利用气相腐蚀工艺经由释放孔释放氧化层。在释放氧化层时,金属氧化物层能够提高结构层在气相腐蚀工艺中的耐熏蒸腐蚀能力,但对氧化层在气相腐蚀工艺中的耐熏蒸腐蚀能力的影响不大,相当于提高了结构层和氧化层在气相腐蚀工艺中的刻蚀选择比,从而在保证氧化层完全释放的情况下,避免结构层的表面被损伤,进而提高了MEMS器件的性能和可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN112601168A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州士兰集昕微电子有限公司;

    申请/专利号CN202011528010.4

  • 申请日2020-12-22

  • 分类号H04R19/00(20060101);H04R19/04(20060101);H04R31/00(20060101);

  • 代理机构31295 上海思捷知识产权代理有限公司;

  • 代理人王宏婧

  • 地址 310012 浙江省杭州市钱塘新区10号大街(东)308号13幢

  • 入库时间 2023-06-19 10:27:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-26

    授权

    发明专利权授予

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