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公开/公告号CN112601168A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州士兰集昕微电子有限公司;
申请/专利号CN202011528010.4
发明设计人 金文超;闻永祥;孙福河;杨浩;陈鑫;尤业锐;
申请日2020-12-22
分类号H04R19/00(20060101);H04R19/04(20060101);H04R31/00(20060101);
代理机构31295 上海思捷知识产权代理有限公司;
代理人王宏婧
地址 310012 浙江省杭州市钱塘新区10号大街(东)308号13幢
入库时间 2023-06-19 10:27:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-26
授权
发明专利权授予
机译: 蚀刻牺牲层的方法,制造MEMS器件的方法,MEMS器件和MEMS传感器
机译: MEMS --CMOS一种在微电子机械系统中集成互补金属氧化物半导体氧化物CMOS器件的方法在牺牲层之上使用平整表面的MEMS器件
机译:MEMS器件制造中牺牲层释放的新方法
机译:MEMS器件宽腔体平坦化牺牲层的技术
机译:利用剥离技术制备MEMS器件牺牲层
机译:MEMS器件可靠性评估方法 - MEMS麦克风和3轴MEMS陀螺仪的情况研究
机译:第四组光子MEMS器件的纳米制备方法
机译:使用MEMS麦克风阵列在自主应急制动系统中使用MEMS麦克风阵列的可行性
机译:MEMS器件的完整晶圆切割无干法释放工艺
机译:用于涂覆和释放mEms器件的选择性W.