公开/公告号CN112481606A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-12
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏杰太光电技术有限公司;
申请/专利号CN202011246917.1
申请日2020-11-10
分类号C23C16/50(20060101);C23C16/24(20060101);C23C16/54(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/18(20060101);
代理机构11578 北京集智东方知识产权代理有限公司;
代理人吴倩
地址 225500 江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号
入库时间 2023-06-19 10:13:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-23
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/50 专利申请号:2020112469171 申请公布日:20210312
发明专利申请公布后的驳回
机译: 原子层沉积法用卤化物元素部分掺杂氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制造卤素掺杂源的方法,使用卤化物掺杂源部分掺杂氧化物的薄膜和原子层沉积膜的方法掺杂有方法
机译: 卤素掺杂源,其在原子层沉积中可以用卤素掺杂氧化物膜的一部分,通过制造掺杂源的卤素方法,并通过利用卤素源原子层沉积卤素掺杂的氧化物膜部分,氧化物薄膜用掺杂卤素的方法和工艺形成
机译: 用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源,用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法,以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素