法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20190301
实质审查的生效
2019-06-28
公开
公开
机译: 用于DRAM存储芯片的层结构的生产包括使用PECVD方法在衬底上沉积非晶硅层并构造该硅层以形成硬掩模。
机译: 包括非晶硅层的硅晶片及其制造方法,其通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
机译: 包括非晶硅层的硅晶片及其制造方法,其通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)