机译:扩散过程中以PECVD为掺杂源沉积的磷掺杂氧化硅层的分析
Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, 79110 Freiburg, Germany;
Doped oxide; diffusion; plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD); sheet resistance;
机译:原子层沉积作为超浅掺杂硅掺杂源的氧化物薄膜研究
机译:通过ECR-PECVD,TEOS-PECVD和Vapox-APCVD沉积的二氧化硅膜的比较分析
机译:氧源对金属原子/氧化铝/氮化物/氧化物/硅存储电容器中作为阻挡氧化物的原子层沉积的Al_2_2_O_3的影响
机译:掺硼PECVD硅氧化物作为简化高效太阳能电池制造的扩散源
机译:沉积的氧化硅的电,化学和热行为:PECVD,ECR和溅射膜之间的比较。
机译:掺杂铌的氧化钛厚度和热氧化层对硅量子点太阳能电池作为掺杂阻挡层的影响
机译:用于集成光学应用的pECVD磷掺杂氧氮化硅层的制造和表征
机译:用于mEms应用的pECVD二氧化硅(siO2)层的反应离子蚀刻