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晶片预对准器及预对准晶片的方法

摘要

本公开涉及晶片预对准器及预对准晶片的方法。预对准器用于预对准具有刻痕的晶片。该预对准器包括具有晶片接收表面的晶片平台,和驱动设备。提供检测器以检测刻痕,并且提供存储器以存储刻痕窗口,该刻痕窗口限定相对于起始位置的角度范围,预测刻痕位于该角度范围内。控制器执行预对准操作,其中晶片从起始位置旋转到对准位置。控制器执行操作,以使得以最大加速度/减速度值将晶片从起始位置旋转到由检测器检测到的刻痕位置:其中,操作被限制到用于将晶片从起始位置旋转到刻痕窗口的最大速度,并且其中,操作在刻痕窗口内被限制到扫描速度,直到检测到刻痕位置为止。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/68 专利申请号:2020109203628 申请日:20200904

    实质审查的生效

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