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具有波导模式光耦合增强的绿光OLED器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有波导模式光耦合增强的绿光OLED器件及其制备方法,涉及有机发光二极管领域。本器件包括衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、绿光发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。该器件的特征之处在于有机或无机空穴注入层,通过优选有机溶剂或酸对空穴注入层薄膜进行气相微刻蚀。精确调节刻蚀时间和空穴注入层膜厚以控制气体分子的刻蚀深度,形成有效的表面光散射结构。从而使绿光OLED器件内部发出的光在通过该散射结构时发生折射和漫散射,使波导模式的光子能有效出射,增大光通量,提高光耦合效率并最终提升外量子效率。解决了目前OLED器件光耦合受限的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112467056A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN202011539446.3

  • 发明设计人 郑燕琼;陈俊聪;李维光;唐杰;

    申请日2020-12-23

  • 分类号H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人何文欣

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2023-06-19 10:08:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L51/52 专利申请号:2020115394463 申请公布日:20210309

    发明专利申请公布后的驳回

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