一种基于高频加热的具有金属质感的商标材料制备工艺

摘要

本发明涉及一种基于高频加热的具有金属质感的商标材料制备工艺，包括：计算所需原料的总量；确定加热温度、转速、搅拌时长和电流频率；将涂料均匀涂覆在胚布表面；判定涂料是否涂覆合格；涂覆合格时将胚布输送至印刷单元；印刷完成时将胚布输送至剪裁单元。本发明所述中控单元会根据胚布的尺寸D确定该次检测的预设合格率标准并在检测完成后根据该次针对所述胚布的涂覆合格率S与预设合格率Sj之间的关系选用对应的修正参数以对光照参数进行修正，从而避免光照参数对胚布照射存在的偏差对检测结果造成影响的情况发生，增加了所述工艺针对商标的制备效率。

说明书

技术领域

本发明涉及材料涂覆技术领域，尤其涉及一种基于高频加热的具有金属质感的商标材料制备工艺。

背景技术

商标材料广泛用于服装、家纺、靴帽、玩具等行业。商标材料的生产过程是采用尼龙、聚酯纤维、醋酸纤维、混纺、纯棉织物及无纺布等胚布，经过涂层、水洗、烘干、后整理、裁切等处理后得到商标材料的过程。

为了增加吊牌的美观度，具有金属质感的商标应运而生，现有技术中通过向预处理完成的商标材料表面喷涂或涂覆指定的颜料以使喷涂或涂覆后的商标材料表面具有金属质感，然而，现有技术中选用的涂料的原料单一，在向不同材质的胚布进行喷涂或涂覆时，会导致处理后商标材料的表面无法达到预计的标准，同时，由于现有技术中大都采用大面积的喷涂或涂覆，很容易出现部分区域喷涂或涂覆不完全，单位面积内可用商标数量减小，从而导致针对处理后的胚布利用率小，制备效率低。

发明内容

为此，本发明提供一种基于高频加热的具有金属质感的商标材料制备工艺，用以克服现有技术中胚布在涂覆时部分区域涂覆不合格导致的制备效率低的问题。

为实现上述目的，本发明提供基于高频加热的具有金属质感的商标材料制备工艺，包括：

步骤1：向中控单元输入待涂覆的胚布的材质种类和尺寸，中控单元根据胚布的材质种类确定涂料的各原料的配比并根据胚布的尺寸计算所需原料的总量；

步骤2：中控单元根据计算结果依次从储料单元中对应储料罐内提取指定重量份的原料并将取出的原料输送至高频加热搅拌单元内；

步骤3：中控单元根据制备的涂料的总量依次确定所述高频加热搅拌单元的加热温度、搅拌桨的转速、搅拌时长以及高频加热搅拌单元内的预设气泡浓度并根据加热温度确定高频加热搅拌单元内的电流频率；

步骤4：中控单元控制高频加热搅拌单元以指定的电流频率对高频加热搅拌单元内的原料进行间接式加热、控制高频加热搅拌单元内的搅拌桨以指定转速搅拌原料，当高频加热搅拌单元使用指定转速搅拌指定温度的时长达到指定值时，中控单元判定涂料制备完成并控制高频加热搅拌单元将涂料输送至涂覆单元；

步骤5：将胚布展开并输送至所述涂覆单元内，涂覆单元将涂料均匀涂覆在胚布表面，涂覆完成后，中控单元将涂覆完成的胚布输送至图像检测单元；图像检测单元选取预设的光照参数对涂覆完成的胚布进行照射并根据胚布在接收到照射后反射的光照参数以判定胚布上的涂料是否涂覆合格；

步骤6：当中控单元判定所述胚布上的涂料涂覆合格时，将胚布输送至印刷单元，印刷单元根据所述中控单元中预先输入的印刷颜色以及印刷图案将印刷材料印刷在胚布表面的指定位置；

步骤7：印刷完成后，将印刷完成的胚布输送至剪裁单元，剪裁单元将印刷完成的胚布剪裁成多个指定尺寸的商标，剪裁完成后，将符合标准的商标输出单元并将不符合标准的商标输送至回收单元以进行回收；

当所述图像检测单元检测展开的胚布表面的涂覆情况时，图像检测单元根据胚布的尺寸和预设的剪裁尺寸确定胚布上商标的数量并按照顺序对预确定商标所在的区域进行编号，编号完成后，图像检测单元以光源在胚布的投影点作为原点，在胚布表面建立直角坐标系并依次记录各编号区域内中心点的坐标；

在所述中控单元中设有预设材质矩阵C0、预设光照参数矩阵组L0和预设反射参数标准矩阵组G0；对于所述预设材质矩阵C0，C0(C1，C2，C3，C4)，其中，C1为第一预设材质，C2为第二预设材质，C3为第三预设材质，C4为第四预设材质；对于所述光照参数矩阵组L0，L0(L1，L2，L3，L4)，其中，L1为第一预设光照参数矩阵，L2为第二预设光照参数矩阵，L3为第三预设光照参数矩阵，L4为第四预设光照参数矩阵；对于所述预设反射参数标准矩阵组G0，G0(G1，G2，G3，G4)，其中，G1为第一预设预设反射参数标准矩阵，G2为第二预设预设反射参数标准矩阵，G3为第三预设预设反射参数标准矩阵，G4为第四预设预设反射参数标准矩阵；

对于所述第i预设光照参数矩阵Li，i＝1，2，3，4，Li(Lia，Lib，Lic，ti)，其中，Lia为第i预设光照亮度，Lib为第i预设光照波长，Lic为第i预设光照色温，ti为第i预设照射时长；对于所述第i预设反射参数标准矩阵Gi，Gi(Gia，Gib)，其中，Gia为第i预设反射光强度，Gib为第i预设反射荧光度；

当所述图像检测单元对胚布进行检测时，所述中控单元会根据胚布的材质选取对应的光照参数和反射参数标准：

当所述胚布的材质为C1时，中控模块选用L1矩阵中的光照参数以控制图像检测单元内的光照参数并在照射过程中选用G1矩阵中的参数判定胚布中各区域是否涂覆合格；

当所述胚布的材质为C2时，中控模块选用L2矩阵中的光照参数以控制图像检测单元内的光照参数并在照射过程中选用G2矩阵中的参数判定胚布中各区域是否涂覆合格；

当所述胚布的材质为C3时，中控模块选用L3矩阵中的光照参数以控制图像检测单元内的光照参数并在照射过程中选用G3矩阵中的参数判定胚布中各区域是否涂覆合格；

当所述胚布的材质为C4时，中控模块选用L4矩阵中的光照参数以控制图像检测单元内的光照参数并在照射过程中选用G4矩阵中的参数判定胚布中各区域是否涂覆合格；

当所述胚布的材质为Ci时，中控模块将所述图像检测单元中光源的光照亮度设置为Lia、光照波长设置为Lib、光照色温设置为Lic并将光照时长设置为ti，在光源持续照射的过程中，图像检测单元实时检测胚布上各区域的反射光强度gia和反射荧光度gib并分别将gia和gib与所述Gi矩阵中的对应参数进行比对：

当单个所述区域内的反射光强度gia≥Gia且反射荧光度gib≥Gib时，中控单元判定该区域涂覆合格；

当单个所述区域内的反射光强度gia＜Gia或反射荧光度gib＜Gib时，中控单元判定该区域涂覆不合格并记录下该区域的编号以及坐标值；

所述中控单元中还设有预设胚布尺寸矩阵D0、预设合格率标准矩阵S0和预设光照参数调节系数矩阵组a0；对于所述预设胚布尺寸矩阵D0，D0(D1，D2，D3，D4)，其中，D1为第一预设胚布尺寸，D2为第二预设胚布尺寸，D3为第三预设胚布尺寸，D4为第四预设胚布尺寸，各预设胚布尺寸按照顺序逐渐增加；对于所述预设合格率标准矩阵S0，S0(S1，S2，S3，S4)，其中，S1为第一预设合格率标准，S2为第二预设合格率标准，S3为第三预设合格率标准，S4为第四预设合格率标准，各预设合格率标准按照顺序逐渐增加；对于所述预设光照参数调节系数矩阵组a0，a0(a1，a2，a3，a4)，其中，a1为第一预设光照参数调节系数矩阵，a2为第二预设光照参数调节系数矩阵，a3为第三预设光照参数调节系数矩阵，a4为第四预设光照参数调节系数矩阵；对于第j预设光照参数调节系数矩阵aj，aj(aj1，aj2，aj3，aj4)，其中，aj1为第j预设光照亮度调节系数，aj2为第j预设光照波长调节系数，aj3为第j预设光照色温调节系数，aj4为第j预设最大调节次数；

当所述图像检测单元对胚布进行检测时，所述中控单元会根据胚布的尺寸D确定该次检测的预设合格率标准：

当D≤D1时，中控单元选用S1作为判定该次针对胚布的涂覆是否合格的检测标准并在判定该次涂覆不合格时选用ai1矩阵中的参数对所述光照参数矩阵中的参数进行修正；

当D1＜D≤D2时，中控单元选用S2作为判定该次针对胚布的涂覆是否合格的检测标准并在判定该次涂覆不合格时选用ai2矩阵中的参数对所述光照参数矩阵中的参数进行修正；

当D2＜D≤D3时，中控单元选用S3作为判定该次针对胚布的涂覆是否合格的检测标准并在判定该次涂覆不合格时选用ai3矩阵中的参数对所述光照参数矩阵中的参数进行修正；

当D3＜D≤D4时，中控单元选用S4作为判定该次针对胚布的涂覆是否合格的检测标准并在判定该次涂覆不合格时选用ai4矩阵中的参数对所述光照参数矩阵中的参数进行修正；

当中控单元选用Sj判定该次涂覆是否合格时j＝1，2，3，4，中控单元统计涂覆合格的区域的数量n和胚布上的区域总数N以计算该次针对所述胚布的涂覆合格率S，

当S≥Si时，中控单元判定该次涂覆合格，中控单元记录涂覆不合格的区域的编号及坐标并在记录完成时控制所述图像检测单元输送至印刷单元；

当S＜Si时，中控单元判定该次涂覆不合格，中控单元选用aj矩阵中的参数对所述预设光照参数进行修正；当中控单元选用aj矩阵中的参数对所述Li矩阵中的参数进行修正时，修正后的第i预设光照参数矩阵为Li’(Lia*aj1，Lib*aj2，Lic*aj3)，修正完成后，中控模块按照所述Li’矩阵中的参数调节所述图像检测单元中光源的光照参数并在调节完成后重新检测胚布的涂覆合格率S’，当S’≥Si时，中控单元判定该次涂覆合格，中控单元记录涂覆不合格的区域的编号及坐标并在记录完成时控制所述图像检测单元输送至印刷单元；当S’＜Si时，中控单元重新对Li’矩阵中的参数进行修正直至修正后的涂覆合格率大于等于预设合格率；

当针对Li矩阵中参数的修正的次数达到aj4且修正后的涂覆合格率仍小于预设涂覆合格率Si时，中控单元判定所述胚布涂覆不合格，中控单元记录涂覆不合格区域的编号和中心坐标位置并在记录完成后将胚布输送至所述涂覆单元以使涂覆单元针对涂覆不合格的区域进行重新涂覆，涂覆完成后，涂覆单元将胚布输送至图像检测单元以重新进行检测。

进一步地，所述中控单元中还设有预设距离矩阵B0和预设反射参数标准修正系数矩阵b0；对于所述预设距离矩阵B0，B0(B1，B2，B3，B4)，其中，B1为第一预设距离，B2为第二预设距离，B3为第三预设距离，B4为第四预设距离，各预设距离按照顺序逐渐增加；对于所述预设反射参数标准修正系数矩阵b0，b0(b1，b2，b3，b4)，其中，b1为第一预设反射参数标准修正系数，b2为第二预设反射参数标准修正系数，b3为第三预设反射参数标准修正系数，b4为第四预设反射参数标准修正系数，b4＜b3＜b2＜b1＜1；

当所述中控单元针对单个所述区域是否涂覆合格进行检测时，中控单元检测该区域中心点坐标M(X，Y)，其中，X为该中心点在所述直角坐标系中的横坐标，Y为该中心点在所述直角坐标系中的纵坐标，计算完成后，中控单元计算该中心点与原点之间的距离B，

当D≤D1时，中控单元使用b1对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵进行修正；

当D1＜D≤D2时，中控单元使用b2对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵进行修正；

当D2＜D≤D3时，中控单元使用b3对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵进行修正；

当D3＜D≤D4时，中控单元使用b4对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵进行修正；

当中控单元使用bj对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵Gi进行修正时，i＝1，2，3，4，j＝1，2，3，4，修正后的设预设反射参数标准矩阵为Gi’(Gia*bj，Gib*bj)。

进一步地，所述中控单元中还设有预设原料配比矩阵U0(U1，U2，U3，U4)，其中，U1为第一预设配比，U2为第二预设配比，U3为第三预设配比，U4为第四预设配比；所述中控单元会根据所述胚布的材质种类选取对应的涂料的原料配比：

当所述胚布的材质为C1时，中控单元选用U1配比调配涂料；

当所述胚布的材质为C2时，中控单元选用U2配比调配涂料；

当所述胚布的材质为C3时，中控单元选用U3配比调配涂料；

当所述胚布的材质为C4时，中控单元选用U4配比调配涂料。

进一步地，所述中控单元中还设有预设涂料加工参数矩阵组Q0(Q1，Q2，Q3，Q4)，其中，Q1为第一预设涂料加工参数矩阵，Q2为第二预设涂料加工参数矩阵，Q3为第三预设涂料加工参数矩阵，Q4为第四预设涂料加工参数矩阵；对于所述第i预设涂料加工参数矩阵Qi，i＝1，2，3，4，Qi(Ti，Wi)，其中，Ti为第i预设加热温度，Wi为第i预设转速；当所述高频加热搅拌单元对原料进行加工时，中控单元根据预先选定的原料配比调节高频加热搅拌单元的运行参数：

当中控单元选用U1配比时，中控单元将高频加热搅拌单元的预设加工温度设置为T1，将所述搅拌桨的转速设置为W1；

当中控单元选用U2配比时，中控单元将高频加热搅拌单元的预设加工温度设置为T2，将所述搅拌桨的转速设置为W2；

当中控单元选用U3配比时，中控单元将高频加热搅拌单元的预设加工温度设置为T3，将所述搅拌桨的转速设置为W3；

当中控单元选用U4配比时，中控单元将高频加热搅拌单元的预设加工温度设置为T4，将所述搅拌桨的转速设置为W4；

当中控单元选用Ui配比时，中控单元会在所述高频加热搅拌单元加工原料时周期性地检测高频加热搅拌单元内的加热温度T以及搅拌桨转速W，在单个周期内：

当T≠Ti时，中控单元对所述高频加热搅拌单元的电流频率进行对应的调节；

当W＞Wi时，中控单元对搅拌桨的转速进行调节，调节后的转速W’＝W*0.9；

当W＞Wi时，中控单元对搅拌桨的转速进行调节，调节后的转速W’＝W*1.1。

进一步地，所述中控单元中还设有预设温度矩阵T0和预设频率矩阵P0；对于所述预设温度矩阵T0(Ta，Tb，Tc，Td)，其中，Ta为第一预设温度，Tb为第二预设温度，Tc为第三预设温度，Td为第四预设温度，各所述预设温度按照顺序逐渐增加；对于所述预设频率矩阵P0，P0(P1，P2，P3，P4)，其中，P1为第一预设电流频率，P2为第二预设电流频率，P3为第三预设电流频率，P4为第四预设电流频率，各预设电流频率按照顺序逐渐增加；

当所述中控单元确定所述高频加热搅拌单元的加热温度Ti时，中控单元将Ti与T0矩阵中的各项参数进行比对以确定高频加热搅拌单元的预设电流频率：

当Ti≤Ta时，中控单元将高频加热搅拌单元的电流频率设置为P1；

当Ta＜Ti≤Tb时，中控单元将高频加热搅拌单元的电流频率设置为P2；

当Tb＜Ti≤Tc时，中控单元将高频加热搅拌单元的电流频率设置为P3；

当Tc＜Ti≤Td时，中控单元将高频加热搅拌单元的电流频率设置为P4；

当中控单元将高频加热搅拌单元的电流频率设置为Pj时，j＝1，2，3，4，中控单元会在所述高频加热搅拌单元加工原料时周期性地检测高频加热搅拌单元内的加热温度T并根据检测结果调节高频加热搅拌单元的电流频率：

当T＞Ti时，中控单元对高频加热搅拌单元的电流频率进行调节，调节后的电流频率P’＝P*0.85；

当T＜Ti时，中控单元对高频加热搅拌单元的电流频率进行调节，调节后的电流频率P’＝P*1.15。

进一步地，所述中控单元中还设有预设涂料量矩阵A0和预设加工时长矩阵ta0；对于所述预设涂料量矩阵A0，A0(A1，A2，A3，A4)，其中，A1为第一预设涂料量，A2为第二预设涂料量，A3为第三预设涂料量，A4为第四预设涂料量，各预设涂料量按照顺序逐渐增加；对于所述预设加工时长矩阵ta0，ta0(ta1，ta2，ta3，ta4)，其中，ta1为第一预设加工时长，ta2为第二预设加工时长，ta3为第三预设加工时长，ta4为第四预设加工时长，各预设加工时长按照顺序逐渐增加；

在所述高频加热搅拌单元对原料进行加工时，中控单元会计算投放原料的总量A，

当A≤A1时，中控单元将高频加热搅拌单元的预设加工时长设置为ta1；

当A1＜A≤A2时，中控单元将高频加热搅拌单元的预设加工时长设置为ta2；

当A2＜A≤A3时，中控单元将高频加热搅拌单元的预设加工时长设置为ta3；

当A3＜A≤A4时，中控单元将高频加热搅拌单元的预设加工时长设置为ta4。

进一步地，所述中控单元中还设有预设检测周期矩阵tb0(tb1，tb2，tb3，tb4)，其中，tb1为第一预设检测周期，tb2为第二预设检测周期，tb3为第三预设检测周期，tb4为第四预设检测周期，各预设检测周期按照顺序逐渐增加；

当高频加热搅拌单元对原料进行加工时，中控单元会根据预设的加工时长设置检测周期：

当中控单元预设的加工时长为ta1时，中控单元将检测周期设置为tb1；

当中控单元预设的加工时长为ta2时，中控单元将检测周期设置为tb2；

当中控单元预设的加工时长为ta3时，中控单元将检测周期设置为tb3；

当中控单元预设的加工时长为ta4时，中控单元将检测周期设置为tb4；

当中控单元将检测周期设置为tbi时，i＝1，2，3，4，中控单元会在高频加热搅拌单元的加工时间达到tbi时依次检测高频加热搅拌单元的温度以及搅拌桨的转速并根据检测结果对高频加热搅拌单元的电流频率和/或搅拌桨进行调节。

进一步地，所述中控单元中还设有预设静置时长矩阵tc0和预设泡沫密度矩阵ρ0；对于所述预设静置时长矩阵tc0，tc0(tc1，tc2，tc3，tc4)，其中，tc1为第一预设静置时长，tc2为第二预设静置时长，tc3为第三预设静置时长，tc4为第四预设静置时长，各预设时长按照顺序逐渐增加；对于所述泡沫密度矩阵ρ0，ρ0(ρ1，ρ2，ρ3，ρ4)，其中，ρ1为第一预设泡沫密度，ρ2为第二预设泡沫密度，ρ3为第三预设泡沫密度，ρ4为第四预设泡沫密度，各预设泡沫密度按照顺序逐渐增加；

当高频加热搅拌单元对原料进行加工时，中控单元会根据预设的加工时长设置静置时长和预设气泡密度：

当中控单元预设的加工时长为ta1时，中控单元将静置时长设置为tc1并将静置后的预设泡沫密度设置为ρ1；

当中控单元预设的加工时长为ta2时，中控单元将静置时长设置为tc2并将静置后的预设泡沫密度设置为ρ2；

当中控单元预设的加工时长为ta3时，中控单元将静置时长设置为tc3并将静置后的预设泡沫密度设置为ρ3；

当中控单元预设的加工时长为ta4时，中控单元将静置时长设置为tc4并将静置后的预设泡沫密度设置为ρ4；

当中控单元将静置时长设置为tci并将静置后的预设泡沫密度设置为ρi时，i＝1，2，3，4，中控单元在高频加热搅拌单元对原料加工tai时长后进行静置并在静置时长达到tci时检测加工后涂料的气泡密度ρ；当ρ≤ρi时，中控单元判定高频加热搅拌单元完成对原料的加工，将加工完成的涂料输送至所述涂覆单元；当ρ＜ρi时，中控单元判定高频加热搅拌单元未完成对原料的加工，中控单元重新计时以对涂料进行静置并在重新计时的时长达到tci时重新检测静置后涂料的气泡密度ρ，当ρ＜ρi时，重复上述步骤直至ρ≤ρi。

进一步地，用于制备所述涂料的原料包括鱼鳞粉、云母粉、水性氟碳乳液、丙烯酸乳液、玻璃微粉和水。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明在中控单元中预设了预设材质矩阵C0、预设光照参数矩阵组L0和预设反射参数标准矩阵组G0，当所述图像检测单元对胚布进行检测时，所述中控单元会根据胚布的材质选取对应的光照参数和反射参数标准，从而使图像检测单元能够更加准确的检测出不符合标准的区域，同时，所述中控单元中还设有预设胚布尺寸矩阵D0、预设合格率标准矩阵S0和预设光照参数调节系数矩阵组a0，中控单元会根据胚布的尺寸D确定该次检测的预设合格率标准并在检测完成后根据该次针对所述胚布的涂覆合格率S与预设合格率Sj之间的关系选用对应的修正参数以对光照参数进行修正，从而避免光照参数对胚布照射存在的偏差对检测结果造成影响的情况发生，在提高所述工艺的检测效率的同时，提高了胚布中可用商标的数量，增加了所述工艺针对商标的制备效率。

进一步地，当所述图像检测单元检测展开的胚布表面的涂覆情况时，图像检测单元根据胚布的尺寸和预设的剪裁尺寸确定胚布上商标的数量并按照顺序对预确定商标所在的区域进行编号，编号完成后，图像检测单元以光源在胚布的投影点作为原点，在胚布表面建立直角坐标系并依次记录各编号区域内中心点的坐标；通过对各区域进行编号以及建立坐标系，能够在后续的检测和标记过程中对涂覆不合格的区域进行快速定位，从而提高了后续重新喷涂或剔除的速度，并进一步增加了所述工艺针对商标的制备效率。

进一步地，所述中控单元中还设有预设距离矩阵B0和预设反射参数标准修正系数矩阵b0，当所述中控单元针对单个所述区域是否涂覆合格进行检测时，中控单元检测该区域中心点坐标M(X，Y)，其中，X为该中心点在所述直角坐标系中的横坐标，Y为该中心点在所述直角坐标系中的纵坐标，计算完成后，中控单元计算该中心点与原点之间的距离B，

进一步地，所述中控单元中还设有预设原料配比矩阵U0，所述中控单元会根据所述胚布的材质种类选取对应的涂料的原料配比，通过选取针对性的配比，能够使制备完成的涂料在涂覆至指定材料的胚布上具备更优的反射参数，从而有效提高制备的商标的质量，并进一步增加了所述工艺针对商标的制备效率。

进一步地，所述中控单元中还设有预设涂料加工参数矩阵组Q0，当所述高频加热搅拌单元对原料进行加工时，中控单元根据预先选定的原料配比调节高频加热搅拌单元的运行参数以确定预设加工温度和搅拌桨的转速，同时中控单元会在所述高频加热搅拌单元加工原料时周期性地检测高频加热搅拌单元内的加热温度T以及搅拌桨转速W，在单个周期内，当T≠Ti时，中控单元对所述高频加热搅拌单元的电流频率进行对应的调节，当W＞Wi时，中控单元对搅拌桨的转速进行调节，调节后的转速W’＝W*0.9，当W＞Wi时，中控单元对搅拌桨的转速进行调节，调节后的转速W’＝W*1.1；通过预设运行温度和转速并在高频加热搅拌单元运行时周期性的检测和调节上述参数，能够有效保证高频加热搅拌单元对原料进行高效制备，从而在将制备完成的涂料涂覆在胚布上时具有更好的反射参数，进一步增加了所述工艺针对商标的制备效率。

进一步地，所述中控单元中还设有预设温度矩阵T0和预设频率矩阵P0，当所述中控单元确定所述高频加热搅拌单元的加热温度Ti时，中控单元将Ti与T0矩阵中的各项参数进行比对以确定高频加热搅拌单元的预设电流频率，通过设置指定的电流频率，能够使高频加热搅拌单元在运行时的温度维持在指定值，在进一步保证制备的涂料的质量的同时，进一步增加了所述工艺针对商标的制备效率。

进一步地，中控单元会在所述高频加热搅拌单元加工原料时周期性地检测高频加热搅拌单元内的加热温度T并根据检测结果调节高频加热搅拌单元的电流频率：当T＞Ti时，中控单元对高频加热搅拌单元的电流频率进行调节，调节后的电流频率P’＝P*0.85，当T＜Ti时，中控单元对高频加热搅拌单元的电流频率进行调节，调节后的电流频率P’＝P*1.15；通过周期性的检测温度并调节电流频率能够进一步保证高频加热搅拌单元对原料进行高效制备，从而在将制备完成的涂料涂覆在胚布上时具有更好的反射参数，进一步增加了所述工艺针对商标的制备效率。

进一步地，所述中控单元中还设有预设涂料量矩阵A0和预设加工时长矩阵ta0，在所述高频加热搅拌单元对原料进行加工时，中控单元会计算投放原料的总量A，

进一步地，所述中控单元中还设有预设检测周期矩阵tb0，当高频加热搅拌单元对原料进行加工时，中控单元会根据预设的加工时长设置检测周期，从而对高频加热搅拌单元中的各项参数进行高效的监控，在进一步保证制备的涂料的质量的同时，进一步增加了所述工艺针对商标的制备效率。

进一步地，所述中控单元中还设有预设静置时长矩阵tc0和预设泡沫密度矩阵ρ0，当高频加热搅拌单元对原料进行加工时，中控单元会根据预设的加工时长设置静置时长和预设气泡密度，通过对气泡密度的监控，能够保证在涂覆过程中涂料被均匀地涂覆在商标表面，进一步增加了所述工艺针对商标的制备效率。

附图说明

图1为采用本发明所述基于高频加热的具有金属质感的商标材料制备工艺的系统的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的和优点更加清楚明白，下面结合实施例对本发明作进一步描述；应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非在限制本发明的保护范围。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

请参阅图1所示，其为采用本发明所述基于高频加热的具有金属质感的商标材料制备工艺的系统的结构示意图，所述系统包括中控单元(图中未画出)、储料单元1、高频加热搅拌单元2、涂覆单元3、图像检测单元4、印刷单元5、剪裁单元6和回收单元(图中未画出)。当所述系统运行基于高频加热的具有金属质感的商标材料制备工艺时，包括以下步骤：

步骤1：向中控单元输入待涂覆的胚布的材质种类和尺寸，中控单元根据胚布的材质种类确定涂料的各原料的配比并根据胚布的尺寸计算所需原料的总量；

步骤2：中控单元根据计算结果依次从储料单元1中对应储料罐内提取指定重量份的原料并将取出的原料输送至高频加热搅拌单元2内；

步骤3：中控单元根据制备的涂料的总量依次确定所述高频加热搅拌单元2的加热温度、搅拌桨的转速、搅拌时长以及高频加热搅拌单元2内的预设气泡浓度并根据加热温度确定高频加热搅拌单元2内的电流频率；

步骤4：中控单元控制高频加热搅拌单元2以指定的电流频率对高频加热搅拌单元2内的原料进行间接式加热、控制高频加热搅拌单元2内的搅拌桨以指定转速搅拌原料，当高频加热搅拌单元2使用指定转速搅拌指定温度的时长达到指定值时，中控单元判定涂料制备完成并控制高频加热搅拌单元2将涂料输送至涂覆单元3；

步骤5：将胚布展开并输送至所述涂覆单元3内，涂覆单元3将涂料均匀涂覆在胚布表面，涂覆完成后，中控单元将涂覆完成的胚布输送至图像检测单元4；图像检测单元4选取预设的光照参数对涂覆完成的胚布进行照射并根据胚布在接收到照射后反射的光照参数以判定胚布上的涂料是否涂覆合格；

步骤6：当中控单元判定所述胚布上的涂料涂覆合格时，将胚布输送至印刷单元5，印刷单元5根据所述中控单元中预先输入的印刷颜色以及印刷图案将印刷材料印刷在胚布表面的指定位置；

步骤7：印刷完成后，将印刷完成的胚布输送至剪裁单元6，剪裁单元6将印刷完成的胚布剪裁成多个指定尺寸的商标，剪裁完成后，将符合标准的商标输出单元并将不符合标准的商标输送至回收单元以进行回收。

具体而言，当所述图像检测单元4检测展开的胚布表面的涂覆情况时，图像检测单元4根据胚布的尺寸和预设的剪裁尺寸确定胚布上商标的数量并按照顺序对预确定商标所在的区域进行编号，编号完成后，图像检测单元4以光源在胚布的投影点作为原点，在胚布表面建立直角坐标系并依次记录各编号区域内中心点的坐标。

具体而言，在所述中控单元中设有预设材质矩阵C0、预设光照参数矩阵组L0和预设反射参数标准矩阵组G0；对于所述预设材质矩阵C0，C0(C1，C2，C3，C4)，其中，C1为第一预设材质，C2为第二预设材质，C3为第三预设材质，C4为第四预设材质；对于所述光照参数矩阵组L0，L0(L1，L2，L3，L4)，其中，L1为第一预设光照参数矩阵，L2为第二预设光照参数矩阵，L3为第三预设光照参数矩阵，L4为第四预设光照参数矩阵；对于所述预设反射参数标准矩阵组G0，G0(G1，G2，G3，G4)，其中，G1为第一预设预设反射参数标准矩阵，G2为第二预设预设反射参数标准矩阵，G3为第三预设预设反射参数标准矩阵，G4为第四预设预设反射参数标准矩阵；其中，第一材质C1为尼龙，第二材质C2为聚酯纤维，第三材质C3为醋酸纤维，第四材质C4为混纺。

对于所述第i预设光照参数矩阵Li，i＝1，2，3，4，Li(Lia，Lib，Lic，ti)，其中，Lia为第i预设光照亮度，Lib为第i预设光照波长，Lic为第i预设光照色温，ti为第i预设照射时长；对于所述第i预设反射参数标准矩阵Gi，Gi(Gia，Gib)，其中，Gia为第i预设反射光强度，Gib为第i预设反射荧光度；

当所述图像检测单元4对胚布进行检测时，所述中控单元会根据胚布的材质选取对应的光照参数和反射参数标准：

当所述胚布的材质为C1时，中控模块选用L1矩阵中的光照参数以控制图像检测单元4内的光照参数并在照射过程中选用G1矩阵中的参数判定胚布中各区域是否涂覆合格；

当所述胚布的材质为C2时，中控模块选用L2矩阵中的光照参数以控制图像检测单元4内的光照参数并在照射过程中选用G2矩阵中的参数判定胚布中各区域是否涂覆合格；

当所述胚布的材质为C3时，中控模块选用L3矩阵中的光照参数以控制图像检测单元4内的光照参数并在照射过程中选用G3矩阵中的参数判定胚布中各区域是否涂覆合格；

当所述胚布的材质为C4时，中控模块选用L4矩阵中的光照参数以控制图像检测单元4内的光照参数并在照射过程中选用G4矩阵中的参数判定胚布中各区域是否涂覆合格；

当所述胚布的材质为Ci时，中控模块将所述图像检测单元4中光源的光照亮度设置为Lia、光照波长设置为Lib、光照色温设置为Lic并将光照时长设置为ti，在光源持续照射的过程中，图像检测单元4实时检测胚布上各区域的反射光强度gia和反射荧光度gib并分别将gia和gib与所述Gi矩阵中的对应参数进行比对：

当单个所述区域内的反射光强度gia≥Gia且反射荧光度gib≥Gib时，中控单元判定该区域涂覆合格；

当单个所述区域内的反射光强度gia＜Gia或反射荧光度gib＜Gib时，中控单元判定该区域涂覆不合格并记录下该区域的编号以及坐标值；

具体而言，所述中控单元中还设有预设胚布尺寸矩阵D0、预设合格率标准矩阵S0和预设光照参数调节系数矩阵组a0；对于所述预设胚布尺寸矩阵D0，D0(D1，D2，D3，D4)，其中，D1为第一预设胚布尺寸，D2为第二预设胚布尺寸，D3为第三预设胚布尺寸，D4为第四预设胚布尺寸，各预设胚布尺寸按照顺序逐渐增加；对于所述预设合格率标准矩阵S0，S0(S1，S2，S3，S4)，其中，S1为第一预设合格率标准，S2为第二预设合格率标准，S3为第三预设合格率标准，S4为第四预设合格率标准，各预设合格率标准按照顺序逐渐增加；对于所述预设光照参数调节系数矩阵组a0，a0(a1，a2，a3，a4)，其中，a1为第一预设光照参数调节系数矩阵，a2为第二预设光照参数调节系数矩阵，a3为第三预设光照参数调节系数矩阵，a4为第四预设光照参数调节系数矩阵；对于第j预设光照参数调节系数矩阵aj，aj(aj1，aj2，aj3，aj4)，其中，aj1为第j预设光照亮度调节系数，aj2为第j预设光照波长调节系数，aj3为第j预设光照色温调节系数，aj4为第j预设最大调节次数；

当所述图像检测单元4对胚布进行检测时，所述中控单元会根据胚布的尺寸D确定该次检测的预设合格率标准：

当D≤D1时，中控单元选用S1作为判定该次针对胚布的涂覆是否合格的检测标准并在判定该次涂覆不合格时选用ai1矩阵中的参数对所述光照参数矩阵中的参数进行修正；

当D1＜D≤D2时，中控单元选用S2作为判定该次针对胚布的涂覆是否合格的检测标准并在判定该次涂覆不合格时选用ai2矩阵中的参数对所述光照参数矩阵中的参数进行修正；

当D2＜D≤D3时，中控单元选用S3作为判定该次针对胚布的涂覆是否合格的检测标准并在判定该次涂覆不合格时选用ai3矩阵中的参数对所述光照参数矩阵中的参数进行修正；

当D3＜D≤D4时，中控单元选用S4作为判定该次针对胚布的涂覆是否合格的检测标准并在判定该次涂覆不合格时选用ai4矩阵中的参数对所述光照参数矩阵中的参数进行修正；

当中控单元选用Sj判定该次涂覆是否合格时j＝1，2，3，4，中控单元统计涂覆合格的区域的数量n和胚布上的区域总数N以计算该次针对所述胚布的涂覆合格率S，

当S≥Si时，中控单元判定该次涂覆合格，中控单元记录涂覆不合格的区域的编号及坐标并在记录完成时控制所述图像检测单元4输送至印刷单元5；

当S＜Si时，中控单元判定该次涂覆不合格，中控单元选用aj矩阵中的参数对所述预设光照参数进行修正；当中控单元选用aj矩阵中的参数对所述Li矩阵中的参数进行修正时，修正后的第i预设光照参数矩阵为Li’(Lia*aj1，Lib*aj2，Lic*aj3)，修正完成后，中控模块按照所述Li’矩阵中的参数调节所述图像检测单元4中光源的光照参数并在调节完成后重新检测胚布的涂覆合格率S’，当S’≥Si时，中控单元判定该次涂覆合格，中控单元记录涂覆不合格的区域的编号及坐标并在记录完成时控制所述图像检测单元4输送至印刷单元5；当S’＜Si时，中控单元重新对Li’矩阵中的参数进行修正直至修正后的涂覆合格率大于等于预设合格率；

当针对Li矩阵中参数的修正的次数达到aj4且修正后的涂覆合格率仍小于预设涂覆合格率Si时，中控单元判定所述胚布涂覆不合格，中控单元记录涂覆不合格区域的编号和中心坐标位置并在记录完成后将胚布输送至所述涂覆单元3以使涂覆单元3针对涂覆不合格的区域进行重新涂覆，涂覆完成后，涂覆单元3将胚布输送至图像检测单元4以重新进行检测。

具体而言，所述中控单元中还设有预设距离矩阵B0和预设反射参数标准修正系数矩阵b0；对于所述预设距离矩阵B0，B0(B1，B2，B3，B4)，其中，B1为第一预设距离，B2为第二预设距离，B3为第三预设距离，B4为第四预设距离，各预设距离按照顺序逐渐增加；对于所述预设反射参数标准修正系数矩阵b0，b0(b1，b2，b3，b4)，其中，b1为第一预设反射参数标准修正系数，b2为第二预设反射参数标准修正系数，b3为第三预设反射参数标准修正系数，b4为第四预设反射参数标准修正系数，b4＜b3＜b2＜b1＜1；

当所述中控单元针对单个所述区域是否涂覆合格进行检测时，中控单元检测该区域中心点坐标M(X，Y)，其中，X为该中心点在所述直角坐标系中的横坐标，Y为该中心点在所述直角坐标系中的纵坐标，计算完成后，中控单元计算该中心点与原点之间的距离B，

当D≤D1时，中控单元使用b1对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵进行修正；

当D1＜D≤D2时，中控单元使用b2对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵进行修正；

当D2＜D≤D3时，中控单元使用b3对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵进行修正；

当D3＜D≤D4时，中控单元使用b4对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵进行修正；

当中控单元使用bj对针对该区域的设预设反射参数标准矩阵Gi进行修正时，i＝1，2，3，4，j＝1，2，3，4，修正后的设预设反射参数标准矩阵为Gi’(Gia*bj，Gib*bj)。

具体而言，所述中控单元中还设有预设原料配比矩阵U0(U1，U2，U3，U4)，其中，U1为第一预设配比，U2为第二预设配比，U3为第三预设配比，U4为第四预设配比；所述中控单元会根据所述胚布的材质种类选取对应的涂料的原料配比：

当所述胚布的材质为C1时，中控单元选用U1配比调配涂料；

当所述胚布的材质为C2时，中控单元选用U2配比调配涂料；

当所述胚布的材质为C3时，中控单元选用U3配比调配涂料；

当所述胚布的材质为C4时，中控单元选用U4配比调配涂料。

具体而言，所述涂料的原料按照重量份包括：鱼鳞粉15-30份、云母粉10-20份、水性氟碳乳液10-30份、丙烯酸乳液20-30份、玻璃微粉5-10份、水30-50份；其中，第一预设配比U1的原料包括鱼鳞粉15份、云母粉10份、水性氟碳乳液10份、丙烯酸乳液20份、玻璃微粉5份、水30份

第二预设配比U2的原料包括鱼鳞粉20份、云母粉13份、水性氟碳乳液16份、丙烯酸乳液22份、玻璃微粉7份、水38份；

第三预设配比U3的原料包括鱼鳞粉25份、云母粉18份、水性氟碳乳液25份、丙烯酸乳液27份、玻璃微粉9份、水42份；

第四预设配比U4的原料包括鱼鳞粉30份、云母粉20份、水性氟碳乳液30份、丙烯酸乳液30份、玻璃微粉10份、水50份；

具体而言，所述中控单元中还设有预设涂料加工参数矩阵组Q0(Q1，Q2，Q3，Q4)，其中，Q1为第一预设涂料加工参数矩阵，Q2为第二预设涂料加工参数矩阵，Q3为第三预设涂料加工参数矩阵，Q4为第四预设涂料加工参数矩阵；对于所述第i预设涂料加工参数矩阵Qi，i＝1，2，3，4，Qi(Ti，Wi)，其中，Ti为第i预设加热温度，Wi为第i预设转速；当所述高频加热搅拌单元2对原料进行加工时，中控单元根据预先选定的原料配比调节高频加热搅拌单元2的运行参数：

当中控单元选用U1配比时，中控单元将高频加热搅拌单元2的预设加工温度设置为T1，将所述搅拌桨的转速设置为W1；

当中控单元选用U2配比时，中控单元将高频加热搅拌单元2的预设加工温度设置为T2，将所述搅拌桨的转速设置为W2；

当中控单元选用U3配比时，中控单元将高频加热搅拌单元2的预设加工温度设置为T3，将所述搅拌桨的转速设置为W3；

当中控单元选用U4配比时，中控单元将高频加热搅拌单元2的预设加工温度设置为T4，将所述搅拌桨的转速设置为W4；

当中控单元选用Ui配比时，中控单元会在所述高频加热搅拌单元2加工原料时周期性地检测高频加热搅拌单元2内的加热温度T以及搅拌桨转速W，在单个周期内：

当T≠Ti时，中控单元对所述高频加热搅拌单元2的电流频率进行对应的调节；

当W＞Wi时，中控单元对搅拌桨的转速进行调节，调节后的转速W’＝W*0.9；

当W＞Wi时，中控单元对搅拌桨的转速进行调节，调节后的转速W’＝W*1.1。

具体而言，所述中控单元中还设有预设温度矩阵T0和预设频率矩阵P0；对于所述预设温度矩阵T0(Ta，Tb，Tc，Td)，其中，Ta为第一预设温度，Tb为第二预设温度，Tc为第三预设温度，Td为第四预设温度，各所述预设温度按照顺序逐渐增加；对于所述预设频率矩阵P0，P0(P1，P2，P3，P4)，其中，P1为第一预设电流频率，P2为第二预设电流频率，P3为第三预设电流频率，P4为第四预设电流频率，各预设电流频率按照顺序逐渐增加；

当所述中控单元确定所述高频加热搅拌单元2的加热温度Ti时，中控单元将Ti与T0矩阵中的各项参数进行比对以确定高频加热搅拌单元2的预设电流频率：

当Ti≤Ta时，中控单元将高频加热搅拌单元2的电流频率设置为P1；

当Ta＜Ti≤Tb时，中控单元将高频加热搅拌单元2的电流频率设置为P2；

当Tb＜Ti≤Tc时，中控单元将高频加热搅拌单元2的电流频率设置为P3；

当Tc＜Ti≤Td时，中控单元将高频加热搅拌单元2的电流频率设置为P4；

当中控单元将高频加热搅拌单元2的电流频率设置为Pj时，j＝1，2，3，4，中控单元会在所述高频加热搅拌单元2加工原料时周期性地检测高频加热搅拌单元2内的加热温度T并根据检测结果调节高频加热搅拌单元2的电流频率：

当T＞Ti时，中控单元对高频加热搅拌单元2的电流频率进行调节，调节后的电流频率P’＝P*0.85；

当T＜Ti时，中控单元对高频加热搅拌单元2的电流频率进行调节，调节后的电流频率P’＝P*1.15。

具体而言，所述中控单元中还设有预设涂料量矩阵A0和预设加工时长矩阵ta0；对于所述预设涂料量矩阵A0，A0(A1，A2，A3，A4)，其中，A1为第一预设涂料量，A2为第二预设涂料量，A3为第三预设涂料量，A4为第四预设涂料量，各预设涂料量按照顺序逐渐增加；对于所述预设加工时长矩阵ta0，ta0(ta1，ta2，ta3，ta4)，其中，ta1为第一预设加工时长，ta2为第二预设加工时长，ta3为第三预设加工时长，ta4为第四预设加工时长，各预设加工时长按照顺序逐渐增加；

在所述高频加热搅拌单元2对原料进行加工时，中控单元会计算投放原料的总量A，

涂覆的最大面积，d为单倍率原料的质量，β为针对涂料重复涂覆的误差修正系数；计算完成后，中控单元将A与A0矩阵中的各项参数进行比对：

当A≤A1时，中控单元将高频加热搅拌单元2的预设加工时长设置为ta1；

当A1＜A≤A2时，中控单元将高频加热搅拌单元2的预设加工时长设置为ta2；

当A2＜A≤A3时，中控单元将高频加热搅拌单元2的预设加工时长设置为ta3；

当A3＜A≤A4时，中控单元将高频加热搅拌单元2的预设加工时长设置为ta4。

具体而言，所述中控单元中还设有预设检测周期矩阵tb0(tb1，tb2，tb3，tb4)，其中，tb1为第一预设检测周期，tb2为第二预设检测周期，tb3为第三预设检测周期，tb4为第四预设检测周期，各预设检测周期按照顺序逐渐增加；

当高频加热搅拌单元2对原料进行加工时，中控单元会根据预设的加工时长设置检测周期：

当中控单元预设的加工时长为ta1时，中控单元将检测周期设置为tb1；

当中控单元预设的加工时长为ta2时，中控单元将检测周期设置为tb2；

当中控单元预设的加工时长为ta3时，中控单元将检测周期设置为tb3；

当中控单元预设的加工时长为ta4时，中控单元将检测周期设置为tb4；

当中控单元将检测周期设置为tbi时，i＝1，2，3，4，中控单元会在高频加热搅拌单元2的加工时间达到tbi时依次检测高频加热搅拌单元2的温度以及搅拌桨的转速并根据检测结果对高频加热搅拌单元2的电流频率和/或搅拌桨进行调节。

具体而言，所述中控单元中还设有预设静置时长矩阵tc0和预设泡沫密度矩阵ρ0；对于所述预设静置时长矩阵tc0，tc0(tc1，tc2，tc3，tc4)，其中，tc1为第一预设静置时长，tc2为第二预设静置时长，tc3为第三预设静置时长，tc4为第四预设静置时长，各预设时长按照顺序逐渐增加；对于所述泡沫密度矩阵ρ0，ρ0(ρ1，ρ2，ρ3，ρ4)，其中，ρ1为第一预设泡沫密度，ρ2为第二预设泡沫密度，ρ3为第三预设泡沫密度，ρ4为第四预设泡沫密度，各预设泡沫密度按照顺序逐渐增加；

当高频加热搅拌单元2对原料进行加工时，中控单元会根据预设的加工时长设置静置时长和预设气泡密度：

当中控单元预设的加工时长为ta1时，中控单元将静置时长设置为tc1并将静置后的预设泡沫密度设置为ρ1；

当中控单元预设的加工时长为ta2时，中控单元将静置时长设置为tc2并将静置后的预设泡沫密度设置为ρ2；

当中控单元预设的加工时长为ta3时，中控单元将静置时长设置为tc3并将静置后的预设泡沫密度设置为ρ3；

当中控单元预设的加工时长为ta4时，中控单元将静置时长设置为tc4并将静置后的预设泡沫密度设置为ρ4；

当中控单元将静置时长设置为tci并将静置后的预设泡沫密度设置为ρi时，i＝1，2，3，4，中控单元在高频加热搅拌单元2对原料加工tai时长后进行静置并在静置时长达到tci时检测加工后涂料的气泡密度ρ；当ρ≤ρi时，中控单元判定高频加热搅拌单元2完成对原料的加工，将加工完成的涂料输送至所述涂覆单元3；当ρ＜ρi时，中控单元判定高频加热搅拌单元2未完成对原料的加工，中控单元重新计时以对涂料进行静置并在重新计时的时长达到tci时重新检测静置后涂料的气泡密度ρ，当ρ＜ρi时，重复上述步骤直至ρ≤ρi。

至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明；对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。