一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备

摘要

发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备，包括步骤：S1、将光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；S2、基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，生成单元刚度矩阵，获得整体刚度矩阵；S3、获得关于一晶格单元的等效节点力，获得整体节点力矩阵；S4、对整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解，求出关于光刻胶区域的整体节点位移；及S5、将整体节点位移转化为光场强度，利用有限元分析方法对选定的光刻胶区域进行分析，同时将光场对光刻胶的作用等效为作用力的形式，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性。