アルカリ現像ネガ型レジストを開発

摘要

三菱ガス化学は7nm node世代以降の半導体デバイスプロセ スに導入が見込まれる極端紫外 線（EUV）リソグラフィ用低分 子フォトレジスト材料「MGRシ リーズ」を開発しており，中でも 「MGR108」（C－4－シクロヘキシル フユニルカリックス［屯 レゾルシナ レン）の改良研究を進めてきた。