一种ALD结合银纳米线增强法制备高性能ZnO薄膜紫外探测器的方法

摘要

本发明公开了一种ALD结合银纳米线增强法制备高性能ZnO薄膜紫外探测器的方法，属于光电器件技术领域。该方法是在硅片基板上涂覆一层厚度均一的Ag纳米线层；采用原子层沉积法在Ag纳米线层的表面制备ZnO薄膜，获得银纳米线增强的ZnO薄膜；将银纳米线增强的ZnO薄膜进行热处理，得ZnO薄膜紫外探测器。本发明制备的银纳米线增强ZnO基紫外探测器具有等离子激元增强效果，该探测器可有效探测紫外波段的响应光，可以作为紫外探测器的核心组件，适用于应用在航空航天、宇宙探索、民用监测等各领域中。