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一种ZnO薄膜紫外探测器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种ZnO薄膜紫外探测器件的制备方法,该方法是采用原子层沉积法生长ZnO薄膜,再采用快速热退火处理,得到需要的ZnO薄膜,最后蒸镀电极形成紫外探测器件。这种紫外探测器件可以大面积生长,均匀性好,具有很小的暗电流,大的光暗电流比,响应时间短,响应度高的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN110952072A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学苏州研究院;

    申请/专利号CN201811134184.5

  • 发明设计人 吴昊;郑美娟;刘昌;

    申请日2018-09-27

  • 分类号

  • 代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴楚

  • 地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖科技创新区林泉街377号公共学院5号楼

  • 入库时间 2023-12-17 06:55:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 申请日:20180927

    实质审查的生效

  • 2020-04-03

    公开

    公开

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