晶圆堆叠方法、晶圆堆叠结构和半导体封装

摘要

公开了一种晶圆堆叠方法、晶圆堆叠结构和半导体封装，该方法包括：在第一晶圆中形成第一硅通孔；在所述第一晶圆的对应所述第一硅通孔的位置上，形成第一焊盘；在所述第一晶圆的靠近所述第一焊盘的一侧，将所述第一晶圆键合到第二晶圆；在所述第一晶圆的背离所述第一焊盘的一侧，形成至少一个第一凹槽；在所述至少一个第一凹槽中埋入至少一个第一芯片；以及在所述第一晶圆的靠近所述至少一个第一芯片的一侧，形成第一金属布线。