用于形成半导体器件中的片上电容器结构的方法

摘要

公开了半导体器件以及用于形成半导体器件的方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成半导体器件的方法。在衬底的第一侧上形成第一层间电介质(ILD)层。形成多个第一触点，每个第一触点贯穿第一ILD层垂直地延伸并且与衬底接触。从与衬底的第一侧相对的第二侧对衬底进行减薄。形成多个电介质切口，每个电介质切口贯穿减薄的衬底垂直地延伸，以将减薄的衬底分隔成多个半导体块，使得多个半导体块分别与多个第一触点接触。