首页> 中国专利> 用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法

用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法

摘要

揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法,所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含:磷酸化合物;水;以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。

著录项

  • 公开/公告号CN112166167A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星SDI株式会社;

    申请/专利号CN201980034252.7

  • 申请日2019-04-05

  • 分类号C09K13/06(20060101);H01L21/306(20060101);

  • 代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨贝贝;臧建明

  • 地址 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号(邮递区号:17084)

  • 入库时间 2023-06-19 09:23:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-05

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号