一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明提供了一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法，由下至上依次叠设背面电极、衬底、N‑型外延层、P+型外延层和正面电极，背面电极、衬底和N‑型外延层的规格相一致，三者相贴覆叠置，P+型外延层规格小于N‑型外延层规格，P+型外延层位于N‑型外延层的中间位置，P+型外延层的外周露出N‑型外延层形成N结构区域，正面电极的规格小于P+型外延层的规格，N结构区域由下至上依次覆盖钝化层、覆聚酰亚胺层。本发明利用碳化硅双层外延方法和等离子刻蚀方法实现，避免了离子注入产生的缺陷。本二极管芯片的尺寸可以做很大，实现100A以上产品制作。同时还具有操作简单、生产效率高、可靠性好等特点。