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机译:具有低阈值电压和低泄漏电流的互补型全绝缘门极场效应晶体管的制作方法
公开/公告号JPS5439992B1
专利类型
公开/公告日1979-11-30
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP19720075506
发明设计人
申请日1972-07-27
分类号H01L29/78;H01L21/324;H01L27/08;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 18:43:30
机译: 具有低阈值电压和低泄漏电流的互补型全绝缘门极场效应晶体管的制作方法
机译: 高饱和电流和低漏电流费米延迟场效应晶体管(高饱和电流,低漏电流费米阈值场效应晶体管)