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公开/公告号CN112129347A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-25
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;
申请/专利号CN202010984434.5
发明设计人 姚冠文;周再发;黄庆安;杜雨桐;徐步青;程思敏;
申请日2020-09-18
分类号G01D21/02(20060101);B81B7/04(20060101);B81C1/00(20060101);
代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人罗运红
地址 210000 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
入库时间 2023-06-19 09:18:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-16
授权
发明专利权授予
机译: 多晶硅材料残余应力在线测试结构
机译: 一种用于制造具有具有小粒径结构的多层硅薄膜的半导体器件的方法以及具有其上形成有多层硅薄膜的多晶硅层的半导体器件的方法
机译: 用于制造多层微图案主体的光掩模结构以及使用该掩模结构的多层微图案主体的制造方法
机译:通过拉入法测量绝缘体上硅顶层硅层的杨氏模量和残余应力的在线测试结构
机译:MEMS应用中多层薄膜杨氏模量的一种简单提取方法
机译:用于内存顺序缓冲区故障检测的微体系结构在线测试
机译:用于微流有机发光二极管的大面积和多层柔性聚合物薄膜结构的简单,高通量制造
机译:用于SoC验证和在线测试的具有成本效益的错误检测。
机译:MEMS应用中多层膜杨氏模量的一种简单提取方法
机译:用于微制造的固体氧化物燃料电池的薄膜材料的微观结构,残余应力和机械性能
机译:用于高级微技术的多组分和多层薄膜:技术,基础和设备