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一种芯片的静电感应破坏测试方法

摘要

本发明提出了一种芯片的静电感应破坏测试方法。静电感应破坏测试时,被测芯片衬底面向静电电子枪枪头,保证静电感应破坏测试时产生的静电场穿过芯片器件层。当被测芯片衬底的最外面覆盖金属片时,静电电子枪的枪头直接接触金属片,进行放电测试;当被测芯片衬底最外面覆盖绝缘层时,静电电子枪的枪头直接接触绝缘层,进行放电测试;当被测芯片衬底外面的绝缘层被去除,露出贴片胶时,静电电子枪的枪头直接接触贴片胶,进行放电测试;当被测芯片背面完全露出衬底时,静电电子枪的枪头直接接触芯片衬底,进行放电测试。

著录项

  • 公开/公告号CN112130008A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010769906.5

  • 发明设计人 杨利华;

    申请日2020-08-04

  • 分类号G01R31/00(20060101);G01R31/28(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 102209 北京市昌平区北七家镇未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋

  • 入库时间 2023-06-19 09:18:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-09-08

    授权

    发明专利权授予

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