公开/公告号CN112133760A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-25
原文格式PDF
申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;
申请/专利号CN202010482768.2
发明设计人 J·皮杰卡克;M·阿加姆;J·C·J·杰森斯;
申请日2020-06-01
分类号H01L29/861(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/329(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人张小稳
地址 美国亚利桑那
入库时间 2023-06-19 09:18:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/861 专利申请号:2020104827682 申请日:20200601
实质审查的生效
机译: 具有沟槽修改电流路径的SOI基板上的高压二极管
机译: 具有沟槽修改电流路径的SOI基板上的高压二极管
机译: 半导体组件,特别是带有半导体衬底的横向SOI组件,具有应用于衬底的绝缘层,位于绝缘层上的半导体层以及位于端子之间的半导体层中的漂移区