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刘昊; 宋晓峰; 柏松; 刘奥; 陈刚; 杨立杰;
宽禁带半导体电力电子器件国家重点研究室;
南京电子器件研究所;
4H-SiC; 减薄; 激光退火;
机译:4H-SiC衬底减薄后的应力松弛机理
机译:衬底减薄对GaN基发光二极管性能的影响的热分析和表征
机译:用薄衬底制造的SiC肖特基势垒二极管的性能
机译:通过在260 nm伪形紫外发光二极管中进行衬底减薄和表面粗糙化来改善光子提取
机译:在p-SiC衬底上开发紫外发光二极管。
机译:≤37岁且无先前植入失败的患者中使用非接触式二极管激光进行Zona减薄:一项前瞻性随机研究
机译:不同衬底温度下al / a-sic:H肖特基二极管的光学响应研究溅射a-sic:H薄膜
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:GaN和SiC衬底的快速减薄和干外延剥离
机译:具有减薄或去除衬底的倒装芯片发光二极管器件
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