二极管:按材料分属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有95篇,会议文献有19篇,学位文献有47篇等,二极管:按材料分的主要作者有刘肃、柯少颖、任钰琦,二极管:按材料分的主要机构有南京电子器件研究所、闽南师范大学物理与信息工程学院、中国科学院微电子研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
不同Ge组分a-Si_(1-x)Ge_(x)键合层对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响
摘要: 采用非晶半导体中间层键合(SIB)实现键合界面失配晶格的阻断是实现高质量Si基InGaAs薄膜制备的最佳选择。本文在InGaAs/Si键合界面插入一层非晶锗硅...
2.[期刊]
摘要: 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器...
3.[期刊]
InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响
摘要: 为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻底隔...
4.[期刊]
摘要: 目前的多媒体数据在进行防冲突的调度时,存在全局搜索能力差、有效性低和数据读取效率低的问题.对此提出一种多媒体数据防冲突调度方法,对多媒体数据块进行分层,使低层...
5.[期刊]
意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管兼备出色的能效和先进的稳健性
摘要: 2017年5月17日,意法半导体2A-40A 1200V碳化硅(SiC)JBS(结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、...
6.[期刊]
摘要: 利用自主生长的SiC外延材料,采用晶圆快速减薄与激光退火工艺结合研制600V/30ASiC肖特基二极管。先完成正面工艺,然后贴膜保护正面,SiC外延材料快速减...
7.[期刊]
摘要: 介绍了柔性单晶锗纳米薄膜(GeNM)PIN二极管的制备方法和反向偏置下对应不同弯曲状态下的射频特性。为了定量研究在反向偏置下机械弯曲对柔性PIN二极管射频特性...
8.[期刊]
摘要: Si/Si键合可以在低温下获得高强度、零气泡的键合片,但极难获得无氧化层的键合界面,因此难以应用于光电子领域,本文从理论上研究了Si/Si键合界面氧化层厚度对...
9.[期刊]
摘要: 提出了一种肖特基二极管的毫米波等效电路模型参数提取方法.该方法利用开路测试结构确定焊盘电容,并结合短路测试结构确定馈线电感;基于直流I-V特性曲线和小信号S参...
10.[期刊]
基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
摘要: 报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器.为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分...
11.[期刊]
摘要: 目前的数字线划图更新技术计算变化区域位置定位准确性较低,难以准确地寻找变化区域位置信息.针对上述问题,对河北省1:10000数据线划图更新技术进行研究,确保更...
12.[期刊]
摘要: 太阳能电池作为目前使用最为广泛的发电装置,保障其高效工作对整个光伏发电系统十分重要.在使用过程中如果出现故障会使整个系统工作效率降低,因此对其故障的诊断具有应...
13.[期刊]
摘要: 当前,虽然LED照明亮度仍旧无法与普通灯具相比,但随着相关技术的不断改进,在不久的将来,LED照明必将成为室内照明不可或缺的重要元素.
14.[期刊]
摘要: The image stitching algorithm based on SIFT features will lead to incorrect res...
15.[期刊]
摘要: 综合电子信息系统是一个比较复杂的系统,主要应用在军事领域,可以有效地提高各个兵种一体化联合作战的能力,在综合电子信息系统中,包含了指挥控制功能、信息传送功能、...
16.[期刊]
摘要: Stator flux observation system is not accurate question for Marine Electric Pro...
17.[期刊]
摘要: 栅条状和蜂窝状平面结构的结势垒肖特基整流管(JBSR)的不同之处在于其沟道有效面积的大小不同。从这两种平面结构的结势垒肖特基整流管(JBSR)的工艺和电学特性...
18.[期刊]
摘要: 通过TCAD二维仿真工具模拟光辐照环境,对二极管的光辐照响应进行了仿真研究.首先完成了相关仿真电路的搭建并列出了电路元件及二极管的结构参数,然后对光吸收的概念...
19.[期刊]
摘要: 当前,虽然LED照明亮度仍旧无法与普通灯具相比,但随着相关技术的不断改进,在不久的将来,LED照明必将成为室内照明不可或缺的重要元素。
20.[期刊]
摘要: 利用Matlab编程模拟仿真了GaN/SiC异质结的正向恢复过程.讨论了GaN/SiC异质结的模型,分析了异质结的外因(外加电流变化率、温度等)及内因(N区掺...
1.[会议]
摘要:
2.[会议]
摘要:
3.[会议]
摘要: 半导体P-N结的发电致发光机理决定了发光二极管不可能产生具有连续谱线的白光。 同样单只发光二极管也不可能产生两种以上的高亮度单色光。因崦半导体光源要产生白光只...
4.[会议]
摘要:
5.[会议]
摘要: LED原理是在半导体P-n结处流过正向电流时,它能以高的转换效率辐射出200nm ̄1550nm范围的包括紫外、红外和可见光谱,从而形成一个实用的发光元件。目前...
6.[会议]
摘要: 本文对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的伏安特性进行了模拟,结果表明MPS正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达3000A/um,反向漏...
7.[会议]
摘要: SiC等宽禁带器件具有优异的电、热性能,是下一代电力电子技术的基础.SiC器件的热阻决定于封装材料和封装工艺,与器件的高效可靠运行息息相关.为了识别SiC器件...
8.[会议]
摘要: 从InP的材料特性分析了毫米波InP耿二极管的频率,效率和稳定性可靠性之间的矛盾,简述了器件的设计考虑、制作工艺和性能。(本刊录)
9.[会议]
摘要: 本文介绍了一种应用于太赫兹频段的AlGaN/GaN耿氏二极管.通过在器件的阴极和有源区之间引入A1GaN势垒层来提高电子能量,从而获得稳定的耿氏振荡.通过仿真...
10.[会议]
摘要: 基于中科院微电子研究所的砷化镓PIN二极管工艺,研制了一种单片单刀单掷开关。为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了准确的砷化镓PIN二极管小信号模型。在9.5...
11.[会议]
摘要: 本实验研究了基于AlAs/InxGa1-xAs/GaAs共振隧穿二极管(RTE)的振荡器的压力-频率转换特性,实验结果表明:该特性具有良好的线性特征,且其线性...
12.[会议]
摘要: 本文对SiC半导体材料特性作了比较和讨论,说明了SiC在微波大功率应用方面的优势.通过对SiPiN二极管经典理论的修正和补充提出了能够真正反映SiCPiN二极...
13.[会议]
摘要: 本文提出一种新型堆积式激光二极管光束整形方案,利用简单的异形棱镜对LD输出光束进行变换,将非成像光学变换与成像光学变换相结合,使得这种系统具有输出光波质量好以...
14.[会议]
摘要: 利用法国施卢姆贝格公司的纯化离子注入型硅面结探测器样品EPX—25—300,以[**]Fe,[**]Pu和[**]Am作X射线源,配合国产核仪器插件,进行浓度...
15.[会议]
摘要:
16.[会议]
摘要:
17.[会议]
摘要: 采用气体离心机方法分离得到丰度为99.5%的SiHCl3气体.利用SiHCl3作为反应气体,采用超高真空CVD方法在普通硅片上得到硅-28外延膜.在标准生产工...
18.[会议]
摘要:
19.[会议]
摘要: 对北京正负电子对撞机二期工程中的北京谱仪子探测器CsI(Tl)量能器的CsI(Tl)晶体读出元件硅光二极管(Photo Diode)的性能检测进行简要介绍.
1.[学位]
摘要: 目前,感应加热电源技术主要是向着大功率、高频率和智能化控制技术的方向发展。然而,即便采用了软开关技术的感应加热电源,其设备总损耗的80%以上仍来自于功率器件自...
2.[学位]
摘要: 随着电力电子技术高频化和高功率密度化的发展,开关电源对电力电子器件性能和可靠性的要求日益苛刻,以硅(Si)材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步逼近其理论极限...
3.[学位]
摘要: 磷光有机二极管由于能打破三线态-单线态的能量效率瓶颈,获得更高的器件效率,近年来得到了飞速发展。在这些磷光材料中,基于金属铱的配合物具有高的发光量子效率、光色...
4.[学位]
摘要: NiO是一种新型的宽禁带氧化物半导体,具有直接带隙能带结构,室温下的禁带宽度在3.6-4.0 eV之间。由于NiO特有的电子结构以及 p型导电等特点,它具有许...
5.[学位]
摘要: 作为各种装置核心的电力电子器件,在提高能源利用率方面扮演着重要角色。IGBT模块作为主要的开关器件起着重要作用。针对传统全硅功率模块不足,用SiC二极管代替S...
6.[学位]
摘要: 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、载流子饱和速率大、抗辐照性能优越等特性。其抗辐照特性优于Si,Ge,GaAs等半导体材料;与GaN相比,...
7.[学位]
摘要: 随着社会的不断发展,人们对于高频、大功率固态器件的需求也不断增加。但是由于第一代半导体和第二代半导体材料本身的限制,已经越来越无法满足这些需求。因此人们将目光...
8.[学位]
摘要: 碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管在毫米波频段能产生最高连续功率的输出,具有良好的输出特性,是目前最强大的一种微波频率固态源。而与此同时,第三代半导体...
9.[学位]
摘要: 太赫兹技术广阔的应用前景激发了世界各国科研人员对太赫兹波振荡辐射源和探测器的开发研究。耿氏二极管被认为是极具太赫兹应用潜力的电子学器件。基于砷化镓(GaAs)...
10.[学位]
摘要: 常规半导体微波功率器件已经发展到其性能极限,为了满足无线通信的未来需要,宽禁带半导体GaN和SiC成为研究的热点。GaN基耿氏二极管被认为是目前太赫兹发射源的...
11.[学位]
摘要: 碳化硅(SiC)材料拥有卓越的物理化学和电学性质,特别适合制作承受高压、高频、高温、强辐射等器件,因而被称为第三代半导体材料,4H-SiC相对于6H-SiC又...
12.[学位]
摘要: 碳化硅(SiC)材料以其显著的优势成为下一代高功率器件材料的首选。碳化硅浮动结肖特基二极管(FJ-SBD)器件相比于传统SBD器件,通过在漂移区引入P型掺杂的...
13.[学位]
摘要: 近年来,由于一些新技术与新材料的研究和发展,太赫兹技术得以迅速发展,而太赫兹波辐射源的研究也在相应的领域内被重视起来,并掀起了一股热潮。目前负阻器件在太赫兹领...
14.[学位]
摘要: 面向高灵敏度、低功耗的MEMS传感器在国防军事、航空航天、深空探索等领域的重大应用和发展需求,本课题组在前期国家自然科学基金重点项目《e指数半导体器件嵌入式微...
15.[学位]
摘要: 红外偏振图像和光强图像的融合在战争侦察、红外成像制导、海上目标监测等军用领域,以及公共安全的视频监控、医疗探测平台、农作物生长检测等民用领域都有很重要的作用。...
16.[学位]
摘要: 作为一门新兴学科,有机自旋电子学吸引了人们越来越多的注意。有机自旋电子学基于有机功能材料研究自旋的产生,湮灭,注入以及输运,并设计相关自旋器件。有机材料与其它...
17.[学位]
摘要: 硅基PIN探测器被广泛应用于很多领域,如医疗领域,工业领域等。在硅基PIN探测器接收到强激光信号时,容易受到强激光信号的干扰和破坏,因此研究激光与硅基PIN探...
18.[学位]
摘要: 随着微电子技术的发展,传统的半导体材料(Si)已经无法满足高性能半导体器件的技术要求。由此推动宽禁带半导体材料和电子电力器件的发展,然而目前对碳化硅(SiC)...