法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/31 专利申请号:2020105642838 申请日:20200619
实质审查的生效
机译: 形成用于动态随机存取存储器的电容器的瓶形沟槽涉及在半导体衬底上形成焊盘层和硬掩模层,形成沟槽,以及蚀刻未被间隔物掩盖的沟槽。
机译: 用于制造半导体器件的方法,包括将栅极电介质层,势垒层和金属层蚀刻到沟槽内的相应水平以形成开口或沟槽以形成另外的层
机译: 沟槽式电容器的制造方法,例如动态RAM,包括在等离子蚀刻和钝化循环中形成沟槽,以及通过形成原子层沉积物在沟槽中形成电极和介电材料