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包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件

摘要

本发明涉及一种包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件。该三维闪存器件包括:下部字线堆叠和上部字线堆叠;单元沟道结构;以及虚设沟道结构,其中单元沟道结构包括:下部单元沟道结构;上部单元沟道结构;以及单元沟道扩大部分,其在下部单元沟道结构和上部单元沟道结构之间并具有比下部单元沟道结构的宽度大的宽度,其中虚设沟道结构包括:下部虚设沟道结构;上部虚设沟道结构;以及在下部虚设沟道结构和上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分,虚设沟道扩大部分具有比下部虚设沟道结构的宽度大的宽度,其中虚设沟道扩大部分的宽度和下部虚设沟道结构的宽度之间的差异大于单元沟道扩大部分的宽度和下部单元沟道结构的宽度之间的差异。

著录项

  • 公开/公告号CN112117282A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201911353740.2

  • 发明设计人 千志成;

    申请日2019-12-25

  • 分类号H01L27/11568(20170101);H01L27/11578(20170101);H01L27/11582(20170101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 09:16:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11568 专利申请号:2019113537402 申请日:20191225

    实质审查的生效

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