法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11568 专利申请号:2019113537402 申请日:20191225
实质审查的生效
机译: 三维闪存装置,包括具有扩大部分的沟道结构
机译: 三维闪存装置,包括具有扩大部分的沟道结构
机译: 半导体器件包括至少一个沟道区,该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接,该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区,该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体,该沟道区至少由沟道区连接。