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公开/公告号CN112103351A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学技术大学;
申请/专利号CN202011002337.8
发明设计人 王方莉;张博健;王亮;郭松坡;
申请日2020-09-22
分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/0304(20060101);H01L31/101(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人李伟
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
入库时间 2023-06-19 09:15:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-23
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/0216 专利申请号:2020110023378 申请公布日:20201218
发明专利申请公布后的驳回
机译: 半导体行波e逝波波导光电探测器
机译: 光学波导型方向性耦合器和使用光学波导型方向性耦合器的光学波导电路
机译: 逝波导管耦合器
机译:绝缘体上硅/绝缘体上锗的波导集成薄膜Si Ge光电探测器的有效e逝波耦合条件
机译:垂直入射硅光探测器与光波导集成的波导型衍射光栅耦合器分析
机译:用于垂直入射Si光电探测器和光波导集成的波导型衍射光栅耦合器的分析
机译:具有e逝波导管耦合的共振硅基锗光电探测器
机译:亚波长孔阵列中的van逝波导模式及其在增强量子点红外光电探测器性能方面的作用。
机译:用于高速光学互连的反射耦合波导光电探测器
机译:太赫兹波导阵列中的van逝波耦合
机译:光波导与光耦合光电探测器之间增强的偏振相关耦合