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Resonant germanium-on-silicon photodetector with evanescent waveguide coupling

机译:具有e逝波导管耦合的共振硅基锗光电探测器

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摘要

A 4.5-μm-radius resonant germanium-on-silicon photodetector is first demonstrated with evanescent coupling from bus waveguide, achieving 2.03nA dark current, 1.04A/W responsivity at 1530nm, 32.9GHz electro-optic bandwidth and enhancement on responsivities for longer wavelengths (>0.3A/W at 1630nm).
机译:首次展示了具有4.5μm半径的硅上锗锗光电探测器,其具有通过总线波导的e逝波耦合,可实现2.03nA暗电流,在1530nm处的响应度为1.04A / W,32.9GHz的电光带宽以及对更长波长的响应度的增强(在1630nm时> 0.3A / W)。

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