SiGe waveguide resonant-cavity-enhanced photodetector

摘要

传统的SiGe-PIN光电探测器在向高响应速度和高量子效率发展的过程中提出了垂直谐振腔增强型和波导型结构的光电探测器，前者利用谐振腔的增强作用成功地实现了量子效率和响应速度的解耦，但其光谱响应线宽和量子效率之间仍然存在折衷关系，且吸收区的厚度受到SiGe临界厚度的限制；后者入射光传播方向和电流方向相互垂直，解除了响应速度和内量子效率的制约关系，并且能够方便地进行光电集成。 我们提出了一种新型高量子效率的SiGe/Si多量阱波导共振腔增强型光电探测器，工作波长从可见到近红处波段。新型探测器结合了波导探测器与共振腔增强型探测器的优点，与传统波导探测器相比，器件尺寸大为减小，在相同的量子效率下可以...