垂直入射型Si光検出器と光導波路の集積化に向けた導波路型回折格子結合器の解析

摘要

平面型Si光検出器は基板に対して光を垂直に入射させる必要がある．そこで，光導波路と光検出器の集積化に向け，導波路型回折格子結合器を設計した．導波路材料は波長830nm帯で透明なアモルファスSiとし，断面積300nm×100nmの導波路構造において有限要素法を用いて解析した．金属反射鏡を装荷した回折格子結合器において，回折格子周期380nm，デューティ比=0.75，深さ35～65nmとした場合，光検出器への結合効率は80％となった．