5G通讯用GaN功率器件的Γ栅制作方法

摘要

本发明涉及5G通讯用GaN功率器件的Γ栅制作方法，包括以下步骤：一、在GaN基片上利用PECVD生长工艺淀积氮化硅介质一层；二、利用光刻工艺在氮化硅介质一层制作光刻图形；三、利用RIE刻蚀工艺进行刻蚀；四、再次利用PECVD生长工艺淀积氮化硅介质二层；五、利用光刻工艺制作光刻图形；六、利用ICP刻蚀设备进行刻蚀；七、利用光刻工艺制作光刻图形；八、利用蒸发设备在步骤七的光刻图形之间进行镍、钛、铂和金四层金属分别一层层的蒸发；九、利用剥离设备完成制作。本发明提高了器件的击穿电压，增加了器件的工作电压，提高了器件的工作效率，增强了器件的可靠性，在5G基站的建设中具有重大的实用价值。