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公开/公告号CN112002722A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-27
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202010704837.X
发明设计人 邢国忠;林淮;路程;刘琦;吕杭炳;李泠;刘明;
申请日2020-07-21
分类号H01L27/22(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);
代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;
代理人房德权
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 09:01:25
机译: 使用自旋交换感应自旋电流的垂直SOT-MRAM存储单元
机译: 使用自旋交换感应自旋电流的SOT-MRAM垂直SOT-MRAM存储器单元
机译: 使用旋转感应感应的自旋电流的城市SOT-MRAM存储单元
机译:基于三端子存储单元的非易失性自旋电子存储阵列性能基准测试
机译:具有手性分子作为自旋注射器的自旋电子器件的电路模型分析
机译:自旋电子器件的半金属铁磁体(Zn,Cr,Ti)Se和(Zn,Cr,Ti)Te中居里温度高:从头算和蒙特卡洛处理
机译:基于单个晶体管的高密度SOT-MRAM存储阵列
机译:CMOS电路中压控自旋电子器件的集成
机译:太阳能驱动的自旋电子器件:用于太阳能驱动的自旋电子器件的界面磁性的阳光控制(Adv。Sci。24/2019)
机译:自旋电子器件的动态电路模型
机译:没有磁场的高温自旋电子器件和电路。